CdTe、CdZnTe核辐射探测器的制备性能和应用.pdfVIP

全国第十二届核电子学与核探测技术学术年会论文集 ofthe 12thNationalConference013．Nuclear Proceedings Electronics＆Nulearerection Technology 丁洪林，罗 丛，张万昌 (中国原子能科学研究院核技术应用所，北京 102413) 摘要：简要介绍了CdTe、CdZnTe核辐射探测器的种类、结构和制备的平面型、电容弗里希栅型、像素线性阵列结 、—————‘————_—一’—_—————、——。—一 构等CdZnTe核辐射探测器对圳Am595keV、”C0122keV、ⅢCs662keV所测定的能谱。最后介绍了各种结构的CdTe、 CdZnTe核辐射探测器在几个领域内的应用。 关毽词：CdTe；CdZnTe；按辐射探测器；探测器；化台物半导体 0引言 放射性的监测等领域均已开发出具有较高水平 在x和T射线的探测应用领域，为得到一 的便携式CdTe、CdZnTex(v)射线探测仪。 种既有高的探测效率又有好的能谱特性和清晰 的成像能力的探测器，人们对许多材料进行了 1 CdR、CdZnTe探测器的种类和结构 研究。从无机闪烁体与PMT或与SiPD的组合， CdTe和CdZnTe探测器虽然构成了许多种 到Si和Ge探测器，它们各自都具有不同的弱不同结构的探测器，但具体种类只有两种，～种 是MSM对称的金属接触电极结构构成的匀质 点。如闪烁体+PMT或闪烁体+SiPD，虽具有 较高的探测效率，但能量分辨率差。而si探测 体电导型；二是具有P—N结的二极管型，如 器由于si的原子序数z小．只能限于低能区 MnN，P—i—N和异质结三种。由于CdTe和 的应用，否则探测效率太低。Ge探测器由于禁 CdZnTe这两种单晶材料的空穴的寿命r。差别 带宽度E．窄，它必须在77K的低温下工作。 较大，CdTe的r。为2us，cdznTe的r^则仅为 在20世纪90年代以来，由于CdTe和0．051Us。因此不仅在制备探测器的工艺和结构 上有明显的不同，而且在应用方面也各有自己 CdZnTe化合物半导体制备单晶工艺技术的发 的特点。 展，拉制出了高质量的CdTe和CdZnTe单晶，而 且拉制工艺稳定，重复性较好，可大量提供高质 1．1 CdTe核辐射探测器 量的大晶体。并围绕着X和7射线的探测和应 CdTe单晶的电阻率约108n·Cm，电子的寿 用开发了多种类型的CdTe和CdZnTe探测器和命r。为39s，空穴的寿命r。为2ps。所以CdTe 与获取数据相关的各种专用电子学，从而使许 核辐射探测器主要是采用肖特基势垒工艺，构 多应用领域发生了变化，如安检方面的自动行 成P—i—N结型探测器，这种结构加的反向工作 李包和自动集装箱检查系统，促进了它的更新 电压较高，一般大于200V／ram，而且漏电流小， 换代，从电流型向计数型和能谱型方向发展。 探测器的厚度相对较薄，从0．5～2．5mm，主要 医学成像方面可得到小巧、轻便、灵活、成像更 用于能量低于60keY的x、7射线的探测，特别 是在能量低予30keV的X射线荧光分析中得 加清晰的7相机、PET、SPECT、Mammography、7一 CBF及7射线探针。在科学研究方面，特别在到了广泛的应用。用半导体一级制冷对”Fe 空间物理、高能天文学方面用CdTe和CdZnTe