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第38卷第1期 硅酸盐学报 V01．38，No．1
2010年1月 J()IⅡtNAI，OFTHECHINESECERAMlCSOCIETY January,2010
ZnO纳米线阵列的籽晶控制生长及其紫外探测性能
张雯1，贺永宁2，张庆腾2，崔吾元2，侯洵2
(1．西安交通大学理学院，西安710049；2．西安交通大学电信学院，西安710049)
tin
摘要：分别利用磁控溅射沉积、溶胶—凝胶浸涂及旋涂等方法在氧g镏锡(indiumoxide，rro)导玻璃上得到籽晶层，然后通过低温水热法获得
了ZnO纳米线阵列。通过x射线衍射、扫描电镜、透射电镜、光致发光谱等测试手段对不同方法获得的ZnO籽晶和纳米线阵列进行了表征和研究。
进而在光刻有银电极的ITO玻璃基片上制备出紫外探测原型器件，测试了其紫外响应特性，并结合ZaO纳米线表面特性讨论了器件的紫外响应机理。
结果表明：溶胶揍胶旋涂获得的籽晶最小，生长出的纳米线长径比最高，直径最细，取向性也最好。对应的事温光致发光谱在近带边有优良的激发
峰，而町见区的发光峰受到明显抑制。旋涂和浸涂籽晶获得的紫外探测样品响应迅速，但恢复较慢；磁控溅射籽晶样品有较优的响应和恢复特性，但
信号强度较低。
关键词：氧化锌纳米线；湿化学法；光致发光；紫外探测
中图分类号：TQl32．4文献标志码：A 文章编号：0454-5648(2010)01-0012--05
ZINCoXIDENANOWIREARRAYSGRoWN0NDIFFERENTLYTREATEDSEEDING
SUBSTRATESANDTHLElR
UUrRAVIoLETPHoToDETECTPRoPERTIES
ZHANGWenl，HE
Yongnin92，ZHANGQingten92，CUIWuyuan2，HOUXun2
ofElectricand
(1．CollegeofScience；2．CollegeElectronics，Xi’allJiaotongUniversity,Xi’an710049，China)
Abstract：Zinc were onanindiumtinoxide substrate
oxide(ZnO)see‘lsfirstlydeposited fITO)glassbymagnetronsputteringway,
and then
ZnOnanowirewere alow
SOheldip-coatingSOl_gelspin-coatingprocess，respectively,andarraysprepared temperature
by
method．ThecharacteristiCSoftheseZn0nanowire electronmi．
weredeterminedX．ray
hydrothermal arrays by diffraction．scanning
and ultravioletdeviceswere OntheITo withasilverdee．
croscopyphotoluminescence(PL)spectrum．Thedetecting pre
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