原子层沉积Al2O3薄膜和4H-SiC衬底界面的退火研究.pdfVIP

原子层沉积Al2O3薄膜与4H-SiC衬底界面的退火研究 张峰 孙国胜 郑柳 刘胜北 刘斌 董林 赵万顺 王雷 闫果果 刘兴昉，曾一平 中国科学院半导体研究所，北京 100083 摘要：本文主要研究退火对原子层沉积Al2O3薄膜表面和Al2O3/4H-SiC界面的影响。生长Al2O3薄膜的前驱体为三甲基铝(TMA) 与水(H2O)，生长速率为1.26(A)/cycle．薄膜最终厚度为10nm．然后将Al2O3薄膜在氮气中I000℃下退火1min。检测结果显 示，退火后Al2O3薄膜租糙度增加。同时，退火使得Al2O3薄膜充分氧化，但也导致Al2O3/4H-SiC界面有Si的次氧化物以及Al-O-Si 化含物的生成。 关键词:SiC；原子层沉积；退火 AnnealingstudyonatomiclayerdepositedAl2O3filmandinterface on4H-SiCsubstrate FengZhangGuoshengSunLiuZhengShengbeiLiuBinLiuLinDongWanshunZhao