在Ge衬底生长掺硅GaInP中Ge基络合物光学性质研究.pdfVIP

第十三届全国固体薄膜学术会议（NCTSF2012 ，山东烟台，2012 年 8 月） 在 Ge 衬底生长的掺硅 GaInP 中 Ge 基络合物的光学性质研究  1,2,3 1 3 1 1 何巍 ，陆书龙 ，江德生 ，董建荣 ，杨辉 1 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室 苏州 215123 2 中国科学院研究生院 北京 100049 3 中国科学院半导体研究所 北京 100083 摘要：本文利用光荧光（PL ）和拉曼（Raman ）研究了 Ge 衬底上生长的掺硅 GaInP 的光学性质。实验 发现，1.4 eV 处的宽发光峰的强度与是否掺硅有关，我们认为它由[Ge -V ]络合物引起。同时， (Ga,In) (Ga,In) Raman 光谱证实掺硅 GaInP 中存在[Ge -Si ]络合物。[Ge -V ]与[Ge -Si ]络合物之 (Ga,In) (Ga,In) (Ga,In) (Ga,In) (Ga,In) (Ga,In) 间的竞争关系合理解释了随温度升高，宽发光峰蓝移的现象。 关键词：GaInP/Ge, Ge 基络合物, PL, Raman Abstract ：Photoluminescence and Raman scattering measurements were performed on Si-doped GaInP grown on Ge. The deep broadband photoluminescence (PL) emission centered around 1.4 eV exhibits a strong dependence of strength on Si dopants, which is suggested to be due to [Ge -V ] complexes. A strong (Ga,In) (Ga,In) evidence to support the existence of [Ge(Ga,In)-Si(Ga,In)] complexes in Si-doped GaInP is shown by Raman spectra. The blue shift of broad PL emission with increased temperatures were explained by the competition between [Ge -V ] and [Ge -Si ] complexes. (Ga,In) (Ga,In) (Ga,In) (Ga,In) Key words: GaInP/Ge, Ge-based complexes, PL, Raman 1 由于GaInP/Ge 异质结在高效太阳能电池方面的应用，受到越来越多的关注 , 目前电池效率已经达 到 41.6%2 3 。在材料生长过程中，反向畴可以通过采用适当的衬底偏角和表面预处理来消除 。另一个方 面是异质界面间的互扩散，会导致很多电学和光学方面的问题。我们已经报道过在 GaInP/Ge 中 1.4 eV 处存在一个与 Ge 基络合物有关的宽发光峰 4,5 。本文现提供了一