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二极管裂纹失效分析 　1、引言 NASDA）正在研制一种大功率和短波激光二极管。在810nm波长时，该二极管的最大输出功率为100mW。它要求在实际工作条件下达到高可靠指标（MTTF应超过5000h）。为了保证高可靠性，该二极管内采用了长空腔和金刚石子支架。 DPA）显示，二极管芯片上的裂纹把芯片分成两部分。因此，空腔受到芯片裂纹的破坏而导致失效。 NASDA调查了产生裂纹的工序和原因，重复了激光二极管原来的组装工序，对每个工序中的样品作了检验，以观测芯片裂纹。经过芯片键合和合金工序之后，检验人员在多数选用的样品中都发现了裂纹，认为那些裂纹是在芯片键合和合金工序中产生的。在芯片键合和合金工序中，激光二极管芯片被键合到Au-Sn焊接的子支架上，这就要求加热和冷却。这样，在该工序中产生了子支架与芯片之间的热应力。因此，研究人员实施了热应力分析，以弄清裂纹产生的原因。分析显示，在金刚石子支架上早早就产生了裂纹，因为金刚石的线性膨胀与芯片中的GaAs的有很大差别。这样就证实了金刚石是裂纹产生的主要因素。 由于在芯片键合和合金工序中金刚石子支架上的热应力作用，芯片与金刚石子支架之间的边缘产生了微型裂纹，该裂纹一直扩展到芯片上。裂纹是那么微小，以致于未造成失效。 由于温度循环试验中的热应力作用，微型裂纹不断增大，大到足以破坏芯片空腔的程度，最后造成光电失效。 2、在空间用大功率激光二极管中实现高可靠性的方法 1200μm。另一种方法是采用金刚石子支架。金刚石的导热性高于硅(Si)的导热性，因而可改善热辐射效率。金刚石和Si的热特性于表1显示。 1 3种材料的热特性比较 线性膨胀系数（K-1） 导热性（W/m K） GaAs 5.7×10-5 0.54×102 1.5×10-5 19×102 Si 3.0×10-6 1.49×102 3. 光电失效 经过温度循环试验之后，发现一些样品出现光电失效。这些样品在试验之前已通过目检和光电特性评价试验。研究人员发现，该器件的辐射不会随工作电流的大小而发生线性变化。他们用光学显微镜观测失效样品中的芯片，发现芯片上的一条裂纹把芯片分成两部分。 4、产生裂纹的工序的调查 在芯片键合与合金工序之前，芯片上没有裂纹。 在芯片键合与合金工序之后，在多数选用的样品中都观测到芯片裂纹（包括内部裂纹）。 在温度循环试验之前，已经有内部微型裂纹的芯片上未发现光电失效。 温度循环之后则发现样品失效。 这些结果弄清了裂纹产生的工序以及从裂纹产生到光电失效的工序： 在芯片键合和合金过程中产生了芯片裂纹； 在芯片键合和合金过程中产生的芯片裂纹太小，以致于未导致失效。但由于温度循环中的热应力作用，裂纹不断增大，穿过发射线条，最终导致光电失效。 5、芯片裂纹的原因调查 通过分析和计算，得出如下结果： 芯片内产生了张力；具有金刚石和硅支架的芯片内边缘的应变分别为0.09%he0.03% 。 3倍，分别为1.2×109dyn·cm2 1.2×109dyn·cm2。 上述结果可推论出下列可能性： 张力影响到冷却过程中的芯片，因此，芯片上会产生裂纹。 芯片裂纹可能在热应力最高的边缘上产生。 金刚石子支架上承受的热应力比硅子支架上的高，因此，金刚石子支架的芯片较早产生裂纹。 这些结果论证了子支架与芯片之间的热应力导致芯片失效，金刚石与GaAs的线性膨胀系数之间显著差别是芯片裂纹产生的主要因素。 6．结论 由于在芯片键合和合金过程中的热应力作用，芯片与子支架之间的边缘上产生的裂纹太小，以致于未导致失效。 由于温度循环中的热应力作用，裂纹不断增大和破坏了空腔，最后导致光电失效。 研究人员已认识到长空腔是裂纹产生的一个因素，因此会研究出一种方法来分析芯片中的残存应力。