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2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海
硅衬底超精密CMP中抛光液的研究
钟曼，张楷亮，宋志棠，封松林
(中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心
信息功能材料国家重点实验室200050上海)
摘要：化学机械抛光(CMP)是当今IC生产的重要工艺之一，本文针对硅衬底的化学机
械抛光，采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验，研究了抛光液中主要组分对抛光
速率和表面平整度的影响，以提高抛光速率和抛光质量，采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛
光速率和表面进行了测试和表征。通过优化试验获得了高速率、高平整的抛光表面：去除
了超精密抛光。
关键词：化学机械抛光；胶体SiO。；抛光速率；抛光液
ResearchonC forfine
slurry
i O士ofS。Sub31 UStrastrate
ge
polshing
ZHONGMin，ZHANG
Kailiang，SONGZhitang，FFNGSonglin
of Film
(ResearchCenterFunctionalSemiconductor
EngineeringTechnology。
State ofFunctionalMaterialsfor Institute
KeyLaboratory Informatics，Shanghai
of andInformation
Microsystem
mechanical iSoneofthemost
Abstract：Chemicalishing importantprocesses
pol
smooth
inICfabrication．Inordertoincreasethe rateand surface，
polishing get
aseriesof abouttheeffectof Weredone
experiments slurrycomponents
polishing
self—madecolloidalsilicananometerwith abrasives，
byusing slurrylargeparticle
anditsthicknessandsurfacewerecharacterizedatomic and
by profiler、AFM
thicknesstester．Resultsshowthatafterthe of the
recipesslurryincludingpH
concentrationofabrasiveandotheradditiveswere
value，the optimized，higher
removalrateandsmoothersurfacewereachieved．The
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