GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器的设计.pdfVIP

第 27卷 第 2期 量 子 电 子 学 报 、 1．27 No．2 2010年 3月 CHINESEJOURNALOFQUANTUM ELECTRONICS Mar．2010 DOI-．10．3969~．issn．1007-5461．2010．02．004 GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器的设计 侯仕东， 严高师 (电子科技大学光电信息学院， 四川 成都 610054) 摘 要 ：采用传输矩阵法对 GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器 (DBR)反射光谱进行研究。计算发现 正入射时 S偏振 (TE模)与P偏振 (TM模)反射带是一致的；S偏振和 P偏振反射带随着入射角的增大都 向高频 (短波)方向移动，且两者之间的差别也随之增大，DBR反射带蓝移快慢与入射介质相关；低折射率入 射介质时DBR具有更宽角度响应。通过修改结构参数多次计算表明：入射角修正的方法能较快地找到提高全 方向反射的结构。复合 DBR以降低反射率或者成倍增加膜层厚度为代价实现大角度范围的反射。复合 DBR 比 传统 DBR有更好的光谱特性，这对提高发光二极管的出光效率有现实意义。 关键 词 ：光电子学； GaN；传输矩阵法；分布布拉格反射器；入射角 中图分类号 ：TN312．8 文献 标识码 ：A 文章编号 ：1007-5461(2010)02-0145-06 Design ofdistributed Bragg reflectorsforGaN-based light—em itting diodes H0UShi—dong, YAN Gao—slai (SchoolofOptoelectronicInformation，UniversityofElectronicsScienceandTechnologyofChina， Chengdu 610054，China) Abstract：ThereflectedspectraofGaNb·aseddistributedBraggreflector(DBR)forbluelight—emitting diodes(LED)arestudiedbytransfermatrixmethod．TheresultsshowthatreflectivespectraofSp·olarized andP—polraized planewavesraethesameatnormalincidence，butboth ofthem movetohigh rfequency andthedifferencebetween them increaserapidlywith increasingangleofincidence．ChangerateofDBR reflectedspectraisrelatedtoincidentmedium ，na dlow refractiveindexofincidentmedium has abroader incidentresponse．Bymodifyingthestructuralpraameters，it’Sfoundthatcorrectingthethicknessoffilms bytheangleofincidenceofrincreasingwide—anglereflectionisagood method．Coupled DBR increases wide—anglereflectionatthecostofreducingrefiectivityordoubledthethicknessoffilms．Reflectedspectra ofcoupledDBR designisbetterthanthatoftheconventional DBR design，which