纳米金刚石薄膜的制备和场电子发射研究.pdfVIP

纳米金刚石薄膜的制备及场电子发射研究 蔡让岐① 陈光华o② 宋雪梅②邢光建②冯贞健② 阴生毅②贺德衍① (兰州大学物理科学与技术学院① 兰州 730000) (北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室②北京100022) 摘要本文研究了纳米金刚石薄膜的制备方法和结构特征，并研究了它的场电 子发射特性。结果表明：我们制备的纳米金刚石薄膜具有更低的开启电压和更高 的场发射电流密度。文中还对这种结果给予了进一步的理论说明。 关键词 微波cvD纳米金刚石薄膜场电子发射 。．。。。．。．。。。。。。．，。．．．，．．．。．盖。。，。．，。．．，。．．，、，，。+，．。，，．．．．．。。．，。．．，。．。，。．。．．．． 1弓l言 在过去十年中，纳米金刚石薄膜的合成与特性曾引起人们极大的兴趣。与传统的多晶金刚 石薄膜相比较，纳米金刚石薄膜由于其独特的尺寸和界面特性，尤其是它的负电子亲和势和量子 尺寸效应，因而具有很强的场电子发射电流，可用于制作高效的场发射冷阴极电子器件。 而在生长系统和一些小的配制方面则有所不同。本文研究了纳米金刚石薄膜的制备方法， 量，取得了相当好的结果。 2纳米金刚石薄膜制备 纳)f∈金刚石薄膜的制备采用微波等离子体化学气相沉积(MWCVD)系统。所有的衬 底均选用低阻Si(100)单晶片，经过阳极腐蚀后在硅片上形成了粗糙表面。为了进一步提高 成核密度，我们将爆炸法合成的纳米金刚石粉(约5nm大小)作为籽晶，将它与乙醇混合配 制成悬浊液涂在阳极腐蚀后的硅片上，干燥后作为生长纳米金刚石薄膜的基片放人MW CVD反应室中。反应气体为cI山与H2的混合气体，所用微波频率为2．45GHz。 3纳米金刚石薄膜的场电子发射 laris edu∞ bipu 纳米金刚石薄膜的制备及场电子发射研究 金刚石晶粒的平均晶粒大小约为28--31nm，证实了这些样品为纳米金刚石薄膜。 o 型 I 穗 图1样品的XRD谱 场发射的测试采用平面薄膜二极式结构。纳米金刚石薄膜样品作阴极，我们在样品衬 底背面蒸镀舢电极，以ITO玻璃作阳极收集发射电子。 我们对不同晶粒大小的n、6两个纳米金刚石样品进行了场发射测量。图2为样品发 射电流密度和外加电场的关系曲线，相应的FN曲线如图3所示。样品的场发射特性参数 如表1所示。可以看出，样品具有非常低的发射开启电场和相当高的发射电流密度，并且晶 粒较小的样品有更低的开启电场和更高的发射电流密度。 E ? 三 割 柱 赠 忸】 盔 挺 挥 电场，v．um。1 图2纳米金刚石薄膜的场发射电流密度与外加电场 衷1样品的场发射特性参数 晶粒尺寸／rim 2 样品 开启电场／V·Fin。1 最大发射电流密度o／mA·em n 3l 20 25 6 28 1 8 50 ①表中的最大发射电流密度的测试结果是在6V／grn外加电场下获得的。 A纳米材料 图3样品相应的FN曲线 纳米金刚石薄膜具有如此优异的场发射特性，我们认为主要有以下几个原因： (1)纳米金刚