集成低电压电泳芯片地设计制作研究.pdfVIP

微流控芯门蜜验空进展 集成低电压电泳芯片的设计制作研究乙／7 徐溢‘。+申纪伟“2陆嘉莉1胡小国1温志渝2 化学化I．学院，2微系统研究中心，重庆_人学，重庆，400030 关键词：低电压集成电姝芯片：阵列屯极．设计制作 在过去卜年中，MEMS技术的快速发展为实现分析仪器的微型化．集成化．智自}化，降 低分析仪器的成本提供了颥的机遇韵l技术支持。低电压电泳芯片将分离管道划分成多个连续 区带，分离电压施加在短的管道区带之上，进而在保证分离场强的基础t，降低整个分离体 系的焦耳热散应。已有文献报道了以交流电压，按照需耍的频率产生移动电场米实现芯片管 ANSYS有限元分析软件模拟分析了cE芯片上的 道中的电泳分离”。Yu—ChengLin”等采j；{l 电场特征，并模拟了DNA片断在不同类型阵列电极产生电场的情况F的分离过样。然而，采 用阵列电极垃计，以商流电压米获得运动梯度场．最终实现低电压芯片屯泳分离方面的研究 和试验尚少有弹细报道。本文将SOI技术脚于低屯压电i承芯片的制作，基丁阵州电板结构设 计，以直流也压获得了低电压t乜泳分离所需的驱动力。 1低电压电泳芯片结构设计 阵硎电极的集成是低电压电泳芯片设计的核心。与平面电极相比，且体电极能提供受均 匀的电场，吲此，挺出并设计了内嵌在分离管道倒壁的阵列电搬结丰勾(如酬i所示)．以提 供低电压分离所需的躯动力。 霄 目1低≈Ⅱ自球#R结构{煮圉 目2怔自Ⅱ自律葚H##目 8 gj十∞№s样S№．洲样B鹰液№■鹰液№ 设计中，采埘ANSYS有限元分析软什乜用lCoventoJWare微流体软件，对赢接影响电场 分布和强度的重要因素，如阵列电板的位置，电极数，微管道乖I绝缘层的结构尊进行了模拟 分析”。。嗣日J，研宄了分离管道、进样管道、储液池、阵硎电极阻及电导电极的尺寸。优化 u u um． 得到的微芯片的结构参数如F：电极间距1000m，电极宽度60m，分离管道宽度80 rll。考虑到样品区带的腱宽和样晶 避样管道宽度40p11，管道深度15¨m，绝缘层厚度r2u 特性等因素，最终对低电压芯片电泳操作参数进行了选择。工作电压在30。120V之间，沿分 um。 离管道布置32对阵列电极，分离管道的总长度是30000 2低电压电泳芯片的加工工艺设计和制作 基T-SOI村料在I【、和MB秭制作方面的优势，本文将其用于低电压电泳芯片的设计。采 用MEMS制作1一艺，本文提出的芯片制作1艺路线核心内容包括：(1)利用窄沟稽蠢Ⅱ蚀和全 介质隔离技术，实现阵列电极之间的电学隔离。屯极隔离槽周边沉积__：=氧化硅隔离介质，中 嗵讯联系^：徐溢 芯片制作技术 间微沟道由多晶硅回填，电极由硅扩硼后形成，；同时，在电泳管道的两侧也为二氧化硅隔 离介质：(2)芯片表面钝化，以保护阵列电极。 依据上述低电压电泳芯片制作工艺路线以及优化的芯片结构参数，进行了芯片制作工艺 试验。芯片制作的具体步骤主要包括：SOI片制备、窄沟槽刻蚀、多晶硅回填和平整化、硼 扩散获得电泳通道侧壁立体电极、外接引线及键合点的制作、芯片表面钝化等。图2为低电 压电泳芯片实物图。该低电压电泳芯片最大的特点是：沿管道的侧壁电极之间及电极和电泳 管道之间实现了良好的绝缘，这同时解决了电路的集成和低电压电泳芯片三维结构的制作。 上述工艺过程真正实现了体硅加工与传统IC制作的兼容。 最后，采用该芯片构建的分析系统进行了荧光标记的氨基酸样品分离实验，得到了满意 的分离效果，证实了本文提出的低电压电泳芯片制作工艺的可行性。 参考文献： [1】CuiL，MorganH．』Micro孵ch．Microeng,2000。10：72-79． w．Sensorsand [2]LinY’Wu Actuators层2001，73：54-62． [3]徐溢．吕君江。陆嘉莉，陈蓉，任峰，温志渝．分析化学，2006。34(4)：437-4