硅衬底辐照损伤噪声测试样品与研究.pdfVIP

摘要 摘要 硅半导体材料作为Ic主要的衬底材料，对其性能及辐照损伤的研究已有五 十多年的历史。随着微电子工艺的发展，对硅衬底材料提出了越来越高的要求。 但现有的研究方法均存在一定的局限性，迫切需要一种灵敏、快速、无损的研究 手段。基于低频噪声的表征技术即具有上述的优点，而被广泛应用于半导体材料 及器件的可靠性表征及寿命预测。 硅衬底材料的辐射效应主要表现为少子寿命衰减和多子去除效应。在硅单晶 太阳能电池中，硅衬底材料为器件的基区。本论文选用硅单晶太阳能电池器件， 对辐照前后的电学参数和噪声参数进行测量，发现硅衬底材料的辐照损伤与电池 的性能密切相关。实验发现，随辐照总剂量的增加，光电池的电参数与噪声参数 均发生变化并有较好的对应关系。电参数的衰减与基区的少子寿命密切相关，主 要表现为光电流减小，暗电流增加。噪声参数与势垒区的复合效应密切相关，主 要表现为频率指数基本不变，噪声幅值呈增大趋势。在实验的基础上，建立了硅 衬底材料辐照损伤的电学模型和噪声模型。 由上面的实验和理论分析，发现衬底对器件的性能有明显的影响。到目前为 止，关于1／f噪声的理论和模型各不相同，但是都是建立在两个基本涨落机制基 础上，一个是载流子数涨落机制，另一个是载流子迁移率涨落机