微机械悬桥法的研究LPCVD氮化硅薄膜力学性能.pdfVIP

第八届奎国敏感元件与传感嚣学术会议论文皋 微机械悬桥法研究LPOVD氮化硅 薄膜力学性能 宗登刚112王聪和2，王钻开1，鲍海飞1，陆德仁” ‘中国科学院上晦徽系统与信息技术研究所．传感技术国家联台重点实验室． 0218613； 上海200050,联系电话1 2香港理I大学直角物理系．香港九龙．红磷 e-mail：．d．．r．，1．u．．@，．．．m．．．．a．．i．1．．．．s．i．．m．。．．．．a．，c．．．—cn— [摘要]介绍了用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷一挠度曲线，来研究LPCVD氮化硅 薄膜的力学特性。通过大挠度理论分析，得到考虑了衬底变形的微桥挠度解析表达式。对于 在加卸载过程中表现出完全弹性的微轿，利用最小二乘法对其挠度进行了拟合，从而得到杨 氏模量、残余应力和弯曲强度等力学特性参数。分析了误差的来源及其对实验结果的影响。 报道了低应力和标准LPcvD氮化硅薄膜的研究结果。 [关键词]微机械徽桥LPCVD氮化硅杨氏模量残余应力弯曲强度 引言 薄膜材料广泛地应用于微电子和微机械器件，其力学特性对器件的设计、实现和评测具 有重要的意义。由于微机械薄膜材料一般都是脆性材料，尺寸很小，因而很难利用常规方法 去研究其力学性能。为此，人们提出了一些测试方法，来研究微桃械材料的力学性能。例如 微单轴拉伸i去~”、鼓膜法”’“、共振频率法“1、及微梁挠曲法“1和微桥法“’。其中微桥法综合利 用了MEMS和纳米压入仪的优点，因而具有更好的适用性：简单、方便、精度高、重复性好。 氮化硅是微机械和微电子领域中常用材料之一，其力学性能一直受到人们的关注。但是迄今 为止，由于测量方法各异，氮化硅薄膜的杨氏模量数据相当分散，也很少有弯曲强度方面的 数据。为此，本文用微桥法，在考虑衬底变形的基础上．研究了低应力和标准LPCVD氮化硅 薄膜的杨氏模量、残余应力和弯曲强度。 1．实验方法 由体微机械加工工艺制备得氮化硅微悬桥(图 一)的尺寸为，厚度0．506微米(低应力氮化硅)和 0．206微米(标准氮化硅)，宽度6—24微米，长度 30．120微米。其中氮化硅薄膜是由LPCVD方法生长 的，工艺参数如表～所示。将氮化硅微桥置于Nano Indenter II’s纳米压入仪系统行测试，载荷由楔型 压头在计算机控制下进行加载。该纳米压入仪的载荷 及位移的分辨率分别为76nN和lnm。楔型压头的宽 度为30归·加载示意图见图二。实验中每个微桥的 图一氟化硅微桥阵列 几何尺寸都是多次测量后，取平均值得到的。 微机械悬桥法研究LPGVD氮化硅薄膜力学性能 表一 低应力和标准LPCVD氮化硅薄膜生长参数 淀积温度 工作压力 气体流量 薄膜厚度『 退火 800。C 3Ton 0．206岫 l标准氮化硅 NH3：SiH4=2：1 随炉冷却 8加oC 170mTorr 0．506 1100。C．2hrs I低应力氮化硅 SiCl2H2：NH3=6：1tun 在加载过程中，为了避免氮化硅薄膜微缺陷对结果的影响，在正式实验前，对悬桥先进 行多次加卸载，判断测量的挠曲曲线是否在弹性范围。只有加卸载曲线重合的微桥，才被作 为本工作的研究对象。为了研究微桥的弯曲强度， ， 对微桥进行了持续加载，直至桥断裂。 M／ 』，、—蛳