标准书号54 55 308 05421 第二章.ppt

模拟电子技术及应用 作者：赵玉玲 第二章基本放大电路 2.1 双极型晶体三极管 2.2 双极型晶体三极管基本放大电路 2.3 单极型晶体三极管（场效应管） 2.4 场效应管放大电路 2.5 复合管及电流源 2.6 多级放大电路 2.7 放大电路的频率响应 2.8 单管放大电路的测试 基本放大电路是指能把交流信号的电压量或电流量进行放大的电路，其核心元件是晶体三极管，而由于参与导电的载流子种类不同，晶体三极管有双极型和单极型之分 §２- １双极型晶体三极管 ２- １- １　双极型晶体三极管的结构及分类 双极型晶体三极管，即ＢＪＴ ，根据结构不同可分为 ＮＰＮ 型和ＰＮＰ 型三极管，其结构和符号分别如图所示 一、Ｎ ＰＮ 型三极管的结构 ＮＰＮ 型三极管有三个区、三个极和两个结，即集电区、基区和发射区，集电极、基极和发射极，集电结和发射结。 三个极分别用ｃ、ｂ 和ｅ 表示 二、Ｎ ＰＮ 型三极管内部载流子的运动规律及电流放大作用 如图所示，图中E ｃ＞E ｂ ，则发射结正偏，集电结反偏。 基区的多子向发射区扩散，发射区的多子向基区扩散，形成扩散电流Iｐｅ和Iｎｅ 。 因为发射区掺杂浓度高，而基区又薄，所以发射区的大量电子扩散到基区后，只有少量电子与基区的多子（空穴）复合形成复合电流 Iｒｂ ，其余电子扩散到基区后成为基区的少子 作为基区少子的电子将越过基区漂移到集电区被集电结收集形成漂移电流 Iｎｃ，集电区的少子漂移到基区形成集电结反向电流IＣＢＯ 可见管子中的少子和多子均参与导电，所以又将三极管称为双极型晶体三极管 ＮＰＮ 型三极管内部载流子的运动规律 通过试验还可发现，当晶体三极管的发射结正偏、集电结反偏时，发射区的电子越过基区的数目和在基区与空穴复合的数目总是成一定的比例，即： 且当Iｒｂ改变时，Iｎｃ也按一定比例改变，即 一般情况下，β和值 近似相同，故常用β代替 ２- １- ２　三极管的伏安特性 在这个电路中，射极作为输入端（ｂ 和 ｅ 为接线端）和输出端（ｃ 和 ｅ 为接线端）的公共端，故称为三极管的共射极接法 一、输入特性曲线 集电极与射极之间的电位差uＣＥ大于 １Ｖ 后，uＣＥ对基极电流i Ｂ 的影响很小，此时i Ｂ 主要由发射结正偏电压uＢＥ决定。所以，三极管的输入特性曲线通常只用图中曲线①表示 二、输出特性曲线 输出特性曲线可以分成三个区： 1.截止区 三极管集电结反偏，发射结偏压小于死区电压或反偏 2.饱和区 发射结和集电结均正偏 3.放大区 发射结正偏，集电结反偏 4.击穿区 ２- １- ３　三极管的主要参数 一、电流放大倍数 １． 共射极直流电流放大倍数 ２． 共射极交流电流放大倍数 ３． 共基极直流电流放大倍数 ４． 共基极交流电流放大倍数 二、反向饱和电流 1.IＣＢＯ ：发射极开路时，集电极与基极间的反向饱和电流。 2. IＣＥＯ ：基极开路，且集电结加反向电压时，由集电区穿过基区进入发射区的穿透 电流，IＣＥＯ＝（１＋β ）IＣＢＯ 反向饱和电流越小，则管子的质量越好 三、极限参数 使管子得到充分利用而又安全可靠的参数，叫管子的极限参数 集电极最大允许电流IＣＭ 集电极最大允许耗散功率P ＣＭ 反向击穿电压 ２-１-４指针式万用表检测三极管的方法 一、判别三极管的管脚 1.判定基极 2.进一步判断集电极和发射极 二、估测穿透电流IＣ Ｅ Ｏ 三、估测电流放大倍数 β § ２- ２　双极型晶体三极管基本放大电路 双极型晶体三极管在电路中共有三种基本接法，即共射极、共基极和共集电极接法 一、共射极放大电路的组成及工作原理 图中R Ｂ 为基极偏置电阻，R Ｃ 为集电极负载电阻，Ｔ 为放大元件，C １ 和C ２ 为耦合电容，直流电源V ＢＢ、V ＣＣ为电路提供合适的工作点 当输入信号 uｉ 为零时，电路中没有交流信号，我们称电路处于静态，此时三极管Ｔ 的发射结处于正偏，合理选择元件参数可使集电结处于反偏 当引入输入信号（uｉ≠０）时，电路里有了交流量，我们称电路处于动态 忽略C １ 和C ２ 的交流容抗，则uｉ 加在ｂ、ｅ 极上，而输出信号取自ｃ、ｅ 极，故称其为共射极电路。 uｉ 将引起基极电流i Ｂ 的变量Δ i Ｂ＝i ｂ ，从而出现集电极电流i Ｃ 的变量Δ i Ｃ＝i ｃ。 根据三极管处于放大状态的特点，i ｃ＝β i ｂ ，即基极电流的微小变化将引起集电极电流较大的变化。i Ｃ 经R Ｃ 成为电压的变化由C ２ 耦合至输出端，得到较大的uｏ＝uｃｅ，电路完成了对输入信号uｉ 的放大作用。 二、共射极放大电路的静态分析 图解法分析共射极放大电路静态工作情况 图解法分析放大电路，是依靠放大元件三极管的输入、输出特性曲线来完