位相补偿法研究硅酸镓镧晶体电光效应.pdfVIP

第五届全国光子学大会会议论文集 第二分册：纤维光学 位相补偿法研究硅酸镓镧晶体电光效应 17a,b a,b b 祁海峰 魏爱俭 袁多荣 a 山东大学信息科学与工程学院，济南，山东，250100 b 山东大学晶体材料国家重点实验室，济南，山东，250100 摘要：采用位相补偿法，在同一光路中以DKDP电光晶体引起的位相差补偿硅酸镓镧（La Ga SiO , 3 5 14 langasite，简称 LGS）晶体的位相差，研究了 LGS 晶体的电光效应，方便的测量了小长宽比 的LGS 晶体的线性电光系数γ11=1.8pm/V，并利用 1/4波片产生π/2 位相差，起到直流偏压作用， 实现了声频信号的LGS 线性调制。 关键词：La Ga SiO 晶体, 电光效应，压电晶体，电光调制 3 5 14 0 引言 硅酸镓镧（La Ga SiO , langasite，简称 LGS）晶体是属于三方晶系、32 点群的非铁电性压电晶体。 3 5 14 最早在 1982 年前苏联的A.A.Kaminsky 首次报道了LGS 的合成及其激光性能[1]，随后由于其优良的压电 性能及其在声表面波、声体波方面的应用价值，引起了科研工作者的研究热潮 [2-5]。2002 年德国人J.Stade 等报道了LGS 的电光性质[6]，最近又有报道山东大学晶体所王继扬等利用LGS 成功制作了电光调Q 开关 [7]。对于 LGS 晶体，测量其电光系数一般采用干涉法：在空间分离的两个光路上分别放置电光晶体[6]或 压电晶体[7]和 LGS 晶体，以电光晶体或压电晶体引起的光程变化补偿待测样品所引起的光程变化，进行 相对测量，比较复杂。在本文中我们采用位相补偿法，在一条光路中利用DKDP 晶体的纵向电光效应产生 的位相差补偿LGS 晶体的产生的位相差，研究了LGS 晶体的横向电光效应，并将其用于声频信号的线性 调制。 18 原理 LGS 晶体属于三方晶系、32 点群，有两个独立的线性电光系数γ11 和γ41，当在X 或Y 方向施加电场时， 将引起LGS 晶体的电光效应。LGS 为正光性单轴晶，其折射率椭球方程为： X 2 Y 2 Z 2 + + 1， ⑴n 、n 分别 2 2 2 o e n n n 0 0 e 为O 光、E 光折射率。沿Y 方向施加电场，折射率椭球的主轴方向将发生变化，新主轴X`、Y`相对于原 X、Y 轴旋转了45°，而经过计算新主轴Z` 相对原主轴Z 的方向偏离角度很小，可以忽略[8]。此时，折 射率椭球方程可化为： X 2 Y 2 Z 2 + + 1 2 2 2 ， ⑵其中 n n n 1 2 e  1 3 n1 ≈ no + noγ 11Ey  2 ， ⑶E 为Y 方向电场  1 3