自动控制理论 教学课件 作者 李素玲第4章 4_2.pptVIP

4.2 绘制根轨迹的基本法则 绘制根轨迹的基本法则（续） 根轨迹在s平面上的分支数=闭环特征方程的阶 数。即:分支数=闭环极点数=开环极点数n(n≥m) 或=开环零点数m(mn)。 证明：根轨迹的起点是指Kg=0的根轨迹点，而终点 是指Kg→∞的根轨迹点。 2）变一个方程： 三、实轴上的根轨迹 实轴上根轨迹区段的右侧，实轴上的开环零、极点数目 之和应为奇数。因为共轭复数零、极点向根轨迹上的s点所引 的相角相互抵消，而s左边的实数开环零、极点向s引的相角 为0°，只有s右边的实数开环零、极点向s引的相角为180°， 当个数为奇数时才能为 四、根轨迹的渐近线 若nm，当Kg?∞时，有（n-m）条趋于无穷远 处，它们趋向的方位由渐近线决定： 有3条根轨迹趋于无穷远处; 1、出射角：起始于开 环极点的根轨迹在 起点处的切线与水 平正方向的夹角称 为出射角。如右图 所示系统：在靠近 p2处取一点s1，则有 2 、入射角：终止于开环零点的根轨迹在终点处的切 线与水平线正方向的夹角称为入射角。 六、根轨迹的分离点(汇合点) 两条或两条以上根轨迹分支在s平面上相遇又分开 的点称为根轨迹的分离点或汇合点，用sd表示。 ▲ 若根轨迹位于实轴上两相邻开环极点间则至少有一 个分离点（包括无穷远的极点）； ▲若根轨迹位于实轴上两相邻开环零点间则至少有一 个汇合点（包括无穷远的零点）； ▲由于根轨迹的对称性，分离点多位于实轴上，也可 能是一些共轭点（此情况较少）。 1. 分离点的计算 2）极值法：在分离点sd的Kgd值不是过阻尼的极大 值就是欠阻尼的极小值或相反。 3）作图法： 八、根轨迹的和与积 绘制根轨迹的基本法则(续) 第4章 根轨迹 系统的闭环特征方程可写为 ①当n﹣m≧2时，A1=a1与Kg无关。则系统的所有闭环 极点之和等于所有开环极点之和，且为常数： 绘制根轨迹的基本法则(续) ★ 因此，Kg↑时（或Kg↓时），若一部分闭环极点 在s平面上向右 移，则另一部分闭环极点必向左 移；对于任一Kg，闭环极点之和保持不变，此为 根轨迹的根之和定理，用以判断根轨迹在s平面上的走向。 第4章 根轨迹 ②闭环极点之积与开环零、极点的关系： 当系统为1型及1型以上时，an=0，则有An=Kgbm， 即闭环极点之积与根轨迹增益成正比。 绘制根轨迹的基本法则(续) 这也称为根轨迹的根之积定理。 进一步，当系统没有开环零点时，bm=1，则有 An=Kg。可计算根轨迹上某点的Kg值。对应于某一Kg，若已求得闭环系统的某些极点，也可求出其它极点。 第4章 根轨迹 绘制根轨迹的基本法则(续) 第4章 根轨迹 绘制根轨迹的基本法则(续) 第4章 根轨迹 (1) 有四条根轨迹趋于无穷远处。 (2) 实轴上根轨迹区段为[-3，0] 。 （5）分离点： 绘制根轨迹的基本法则(续) 第4章 根轨迹 可求得方程有1个实数根为sd1=-2.28和两个共轭复根sd2,3=-0.73±j0.37。可以判断出， sd2,3不在根轨迹上，所以系统只有一个分离点 sd=-2.28。 （6）与虚轴的交点： 绘制根轨迹的基本法则(续) 第4章 根轨迹 系统的根轨迹如右图所示。 又因为系统是1型 绘制根轨迹的基本法则(续) 第4章 根轨迹 绘制根轨迹的基本法则(续) 1、开环零极点均为实数： 第4章 根轨迹 九、用根轨迹研究分析控制系统时的一种特殊情况： 系统仅具有两个开环极点和一个开环零点，即 1）开环零点在最右边： 根轨迹必为直线，无分离点。 p1 p2 z1 绘制根轨迹的基本法则(续) 第4章 根轨迹 2）开环零点在中间： 根轨迹必也为直线，无分离点。 p1 p2 z1 3）开环零点在最左边： 在p1与p2之间、z1与-∞之间必有分离点。可以证明：根轨迹一旦离开实轴，必是沿着圆弧移动，而且其圆心在（z1，j0），半径为 p1 p2 z1 z1