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物理热蒸发法制备Ga掺杂z。o纳米材料的研究
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物理热蒸发法制备Ga掺杂ZnO纳米材料的研究
雷曼。范新会，于灵敏。陈建，韦建松。严文
(西安工业大学材料与化工学院，陕西西安710032)
[摘要】
’I’EM对产物的结构和形貌进行了分析。结果表明，所生成的产物是具有六方结构的单晶zn0，其中4％Ga掺杂的znO纳米结构
游
厶
呈标枪状，与呈线状、未掺杂的Zn0形貌差异较大。在PL检测中发现Ga掺杂使光致发光绿光峰强度增加，并且4％Ga掺杂时其
岔
绿光峰强度最大。在随后的XPs检测中发现Ga掺杂使得zn0中氧空位缺陷增多，这是PL中绿光峰出现和强度变化的原因。蘸
●
[关键词】 热蒸发法；znO纳米材料；ca掺杂；结构；形貌；光致发光
遮
[中图分类号]TB383
[文献标识码]A [文章编号]1001一1560(2013)增刊2—000l一03
望
N
O前言 4．0)×102Pa时，即可对体系加热。待温度达到850℃并维持
2—3
min之后，通人氧气，其流量为20sccm，此时，炉内的压强
zn0是一种重要的n型宽带隙(3．37eV)半导体，具有高
维持在(4．O～5．O)×102
Pa。通过侧面的窗口可以观察到炉
的禁带激发能(60meV)，远大于znSe(22meV)和GaN
内有大量气体产生，且在蒸发源瓷舟上有白色棉团状产物堆
(25meV)，具有很好的应用潜能…，在传感、光学、电子、能源
积。待白色烟雾消失之后，保温15lllin，关闭系统，待炉体冷却
等领域有重要的应用价值。随着纳米技术的发展，纳米材料的
至室温，收集产物。
纳米结构、尺寸、形貌等因素在材料的应用中产生很大影
响拉。。，使得人们对纳米zn0的研究愈发关注。目前人们已 1．2性能表征
采用各种方法制备出纳米线、纳米带、纳米棒、纳米阵列、纳米 利用FEI-QuANTA400F扫描电镜，JEOLJEM-2100透射
梳等多种纳米结构∞4J。 电镜，xRD．6000x射线衍射仪，LS一50B型荧光光谱仪，K．
材叶慑妒
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