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墨 钛酸铜钙巨介电陶瓷的制备与B位钼掺杂改性研究 钛酸铜钙巨介电陶瓷的制备与B位钼掺杂改性研究 樊麓庆．郑茜 (西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室，陕西西安710072) [摘要] Hz—l 187，100 M04+掺杂后cacu3Ti。012介电常数为8 5)陶瓷变温介电频谱的分析，得到其介电弛豫的 导致晶粒尺寸增大和晶粒电阻减小有关。通过对cacu，Ti。一，Mo，012-。(石=0．002 eV。 晶界热激活能(E。)为O．529 n _。一 【关键词】 巨介电陶瓷；钛酸钙铜；B位掺杂；介电性能 o N [中图分类号】TB34[文献标识码】A [文章编号】1001—1560(2013)增刊2—0006—03 ● 净 o Z O前言 随着电子技术和信息产业的发展，电子信息器件的发展要 置于以乙醇为介质、z由：为磨球的尼龙罐中在行星式球磨机中 求体积更小、速度更快、频率更高、功耗更低，以实现小型化和 球磨8h进行混料。之后烘干，在950℃下锻烧6h，然后进行 单片化，高介电常数材料在其中扮演着越来越重要的角色。近 二次球磨，随后用冷等静压机在225MPa压力下，压制成直径 12哪、厚约l 080 年来钛酸铜钙(cacu，Ti。0。：)由于具有高的介电常数和低的介 mm的圆片，再以升温速率为2℃／rIlin，在l 电损耗以及好的温度稳定性等，成为关注的焦点之一¨。1。 ℃温度下保温6h进行烧结，最终随炉冷却。 PR0 CaCu，Ti。0，：陶瓷具有高的介电常数，而且在很宽的频率 以X射线衍射(xRD；x’Pen hoven，111e 范围内近似为常数，有较大的应用潜力，但其较高的介电损耗 Net}lerl柚ds)来分析CaCu3 O．002 限制了其应用。在电子陶瓷的研究中，降低介电损耗的方法有 5，O．005O，0．0075，0．0100，0．0150，0．0200)陶瓷 很多，但掺杂是其中应用较多且比较有效的方式之一。目前在 的相结构，衍射角20。一80。；以场发射扫描电子显微镜(sEM； supra kHz下介电常数为104，其 CaCu，Ti。0。：基陶瓷的研究中，室温l 介电损耗为O．5，因而需要弄清介电损耗的来源以便找出有效 构演化。将样品抛光至1咖厚，上下面被银在550℃烧结20 方法来降低损耗。研究者们往往通过引入微量添加物的方法 IIlin形成电极后进行电性能测试。采用精密阻抗分析仪 来改进CaCu3Ti4012基陶瓷的性能。普遍认为CaCu3Ti。012的 巨介电性能是由晶界层电容器效应导致的，而对于其晶粒半导 rey，uK)来测量交流电学性能，激励电压为500mV／mm，频率