高功率微波馈源输出的研究.pdfVIP

　第 17 卷 　第 8 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol . 17 ,No . 8 　 　2005 年 8 月 H I GH PO W ER L A SER AND PA R T ICL E B EA M S A ug . ,2005 　 文章编号 : 　100 14322 (2005) 0812 1904 高功率微波馈源输出窗的研究 钟哲夫, 　李 　浩 ( 电子科技大学 国家 863 计划强辐射重点实验室, 四川 成都 6 10054) 　　摘 　要 : 　结合物理光学和几何光学 ,讨论了高功率微波馈源真空输出窗的形状和厚度的设计方法 ,给出 了一个 X 波段 、脉冲功率容量 1. 5 GW 、外径 548 mm 、高 83 . 4 mm 、厚 33 . 4 mm 的高斯馈源聚四氟乙烯碟形真 空输出窗的设计实例 。在中心频率 9 . 3 GHz 时测试输出窗的驻波系数为 1. 07 ,驻波系数小于 1. 24 的频带为 9 % ,带介质窗的馈源方向图与不带介质窗的馈源方向图基本一致 。应用一维传热学理论对介质窗内部的温度 分布进行了分析 。冷测结果与理论结果基本一致 。 　　关键词 : 　高功率微波 ; 　馈源 ; 　真空输出窗 ; 　温度分布 　　中图分类号 : 　TN 820 . 5 　　　　文献标识码 : 　A 　　高功率微波馈源内部都处于真空状态[ 1 ,2 ] ,高功率微波透过馈源 口外的介质窗辐射到自由空间。因此 ,对 该真空介质窗的机械性能要求较高 ,必须能承受大气压力而保持形状稳定 。不仅如此 ,还必须满足功率容量 ( ) 高 ,反射小 ,损耗低 ,对辐射方向图影响可忽略 或起好的影响 , 以及一定的寿命 。本文将对高功率微波馈源输 出窗的设计及窗内温度分布进行探讨 。 1 　馈源真空输出窗的设计及冷测 　　由于准高斯馈源辐射近场强度具有沿辐射方向快速平滑下降的特 点 ,在设计准高斯馈源时 ,在满足要求的功率容量条件下 ,选取相对较小 的馈源口径 ,虽然口面上的场强大于大气击穿场强 ,但可将介质窗与大气 介面置于馈源口面外的适当位置 ,该位置处的场强小于大气击穿场强 ,从 ( 而使馈源尺寸较小 ,不仅便于馈源和真空介质输出窗的制造 因为即使这 ) 样设计的馈源的输出窗尺寸 ,也远大于中小功率馈源 , 同时 ,较小口径的 馈源具有较宽的辐射主瓣 ,使天线系统更紧凑[ 3 ] 。 　　图 1 为一个 X 波段 , 1. 5 GW , 口径 40 cm 的连续脉冲准高斯馈源 , 口面最大场强 3 . 55 MV/ m 。根据 A . W . Ali 关于大气击穿的理论[4 ] ,在 Fig . 1 　Geomet ry of Gau sian feed 图 1 　高斯馈源设计图 X 波段 ,100 n s 方脉冲 ,工作场强应小于 3 MV/ m 。因此 ,介质窗与大气 介面应选在辐射方向上离开馈源口面一定距离处 ,这一距离可以通过口面场积分来确定 。馈源近区辐射场强[ 5 ] - j 2 ( ) ωε ψ