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201007 半导体物理与器件 西安电子科技大学 XIDIDIAN UNIVERSITY 张丽 11.金属氧化物半导体场效应晶体管基础 11.1双端MOS结构 本节内容 1.1.1 能带图 1.1.2 耗尽层厚度 1.1.3 功函数差 1.1.4 平带电压 1.1.5 阈值电压 1.1.6 电荷分布 实际的铝线-氧化层-半导体 （M:约10000A O:250A S:约0.5~1mm） 1.1 MOS电容 理想MOS 电容结构特点： 绝缘层是理想的，不存在任何电荷，绝对不导电； 半导体足够厚，不管加什么栅电压，在到达接触点之前总有一个零电场区（硅体区） 绝缘层与半导体界面处不存在界面陷阱电荷； 金属与半导体之间不存在功函数差。 小节内容 1.1.1 能带图 随便画能带图,要知道其半导体类型 加什么电压往那里弯曲 小节内容 1.1.2 耗尽层厚度 耗尽情况 反型情况 会算其厚度 了解阈值反型点条件 常用器件掺杂范围 小节内容 1.1.3 功函数差 接触前的功函数 接触后的变化 功函数差与谁有关? 不用金属,而用N+ POLY或 P+POLY功函数差如何算? 常用结构的功函数概况 MOS结构中半导体表面能带弯曲的动因 金属与半导体之间加有电压（栅压） 半导体与金属之间存在功函数差 氧化层中存在正的空间电荷 可动电荷：工艺引入的金属离子 陷阱电荷：辐照 SiSio2界面存在的正的固定电荷： SiSio2界面存在的正的固定电荷 平带电压 定义：使半导体表面能带无弯曲需 施加的栅电压 来源：金属与半导体之间的功函数差， 氧化层中的正的固定电荷 小节内容 1.1.4 平带电压 来源 定义 如果没有功函数差及氧化层电荷,平带电压为多少? 如何算 小节内容 1.1.5 阈值电压 概念 电中性条件 与谁有关?如何理解? N型 P型及掺杂的关系 P耗尽管如何做出来? END 1.1 MOS电容 平带电压:定义 1.1 MOS电容 平带电压:公式 Vox0+?s0=- ? ms 1.1 MOS电容 阈值电压:定义 阈值电压： 达到阈值反型点时所需的栅压， 表面势=费米势的2倍 1.1 MOS电容 阈值电压:公式 |QSDmax|=e Na xdT 为什么反型点后空间电荷达到最大? 1.1 MOS电容 阈值电压影响因素:与栅电容的关系 COX越大，则VTN的绝对值越小； 1.1 MOS电容 阈值电压:与掺杂/氧化层电荷的关系 P型衬底MOS结构 Q‘ss越大，则VTN的值越小； Na越低，则VTN的值越小 Na很小时，VTN随Na的变化缓慢，且随Q’ss的增加而线性增加 Na很大时， VTN 随Na 的变化剧烈，且与Q’ss 的相关性变弱 1.1 MOS电容 阈值电压:导通类型 n沟道MOSFET VTN0 MOSFET为增强型 VG=0时未反型，加有正栅压时才反型 VTN0 MOSFET为耗尽型 VG=0时已反型，加有负栅压后才能脱离反型 P型衬底MOS结构 1.1 MOS电容 阈值电压:n型衬底情形 费米势 表面耗尽层最大厚度 单位面积表面耗尽层电荷 单位面积栅氧化层电容 平带电压 阈值电压 1.1 MOS电容 n型衬底与p型衬底的比较 p型衬底MOS结构 n型衬底MOS结构 增强型、耗尽型都可能 增强型（除非掺P型杂质） MOSFET类型 阈值电压典型值 金属-半导体功函数差 * * 1.1 MOS电容 MOS电容结构 氧化层厚度 氧化层介电常数 Al或高掺杂的多晶Si n型Si或p型Si SiO2 MOS结构具有Q随V变化的电容效应，形成MOS电容 1.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(1) 负栅压情形 导带底能级 禁带中心能级 费米能级 价带顶能级 负栅压：多子的积累， 体内多子顺电场方向被吸引到S表面， 能带变化：空穴在表面堆积，能带上弯 1.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(1) 零栅压情形 理想MOS电容：