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半导体的特性、PN结的形成及特性 主要内容 什么是半导体？ 本征半导体 杂质半导体 P型半导体 N型半导体 PN结的形成及特性 目的与要求 了解本征半导体的结构和特征 理解杂质半导体的结构和特征 牢固掌握P型和N型半导体的特点 理解PN结的形成机理，掌握其单向导电性 重点：PN结的单向导电性 难点：PN结的形成机理 问 题 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？ 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？ 扩散电容CD 课堂练习 一、判断 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） 二、选择 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 * 第三章　二极管及其基本电路 3.1　半导体的基本知识 3.2　PN 结的形成及特性 3.3　二极管 3.4　二极管的基本电路及其分析方法 半导体的导电性能由其原子结构决定的。 一、什么是半导体？ 导体：电阻率 ? 10-4 ? · cm 的物质。如铜、银、铝等金属材料。 绝缘体：电阻率 ? 109 ?· cm 物质。如橡胶、塑料等。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。大多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge)。 硅原子结构 (a)硅的原子结构图 最外层电子称价电子 价电子 锗原子也是 4 价元素。 4 价元素的原子常常用+ 4 电荷的 正离子和周围 4个价电子表示。 +4 (b)简化模型 一、什么是半导体？ +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 二、本征半导体 本征半导体：完全纯净的（9个9）、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体。 单晶体中的共价键结构 共价键 价电子 当温度 T = 0 K 时，本征半导体不导电，如同绝缘体。 二、本征半导体 本征激发 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 若温度升高，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 本征半导体具有微弱的导电能力，且导电能力与温度有关。 空穴可看成带正电的载流子 （热激发） 二、本征半导体 自由电子-空穴对：本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现的。 两种载流子 自由电子 空穴 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。 在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 载流子的浓度与温度密切相关：随着温度的升高，基本按指数规律增加。 三、杂质半导体 P 型半导体 N 型半导体 1、N 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体。 掺入 杂质后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 1、N 型半导体 施主原子 N型半导体也称为电子型半导体 多数载流子——电子 少数载流子——空穴 电子浓度＞＞空穴浓度 施主原子 自由电子 1、N 型半导体 思考：空穴比未加杂质时的数目多了还是少了？为什么？ 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 在T=300K 室温下： 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3； 本征硅的电子和空穴浓度: n=p=1.4×1010/cm3； 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3。 该三个浓度依次相差6个数量级。 2、P 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 P 型半导体的晶体结构 2、 P 型半导体 P 型半导体的特点 空穴浓度远大于电子浓度，即 p n 多数载流子——空穴 少数载流子——电子 在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？ 3、杂质半导体说明 (a) N 型半导体 (b) P 型半导体 杂质半导体的导电能力大大改善，且其导电能力由掺杂质浓度决定。 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。 杂质半导体总体上保持电中性。 杂质半导体的表示方法： 四、PN 结的形成及其单向导电