半导体工艺英语名词解释.pdfVIP

半导体工艺英语名词解释 CMP CMP 是哪三个英文单词的缩写？ 答：Chemical MechanicalPolishing(化学机械研磨) CMP是哪家公司发明的？ 答：CMP是IBM 在八十年代发明的。 简述CMP的工作原理？ 答：化学机械研磨是把芯片放在旋转的研磨垫(pad)上，再加一定的压力， 用化 学研磨液(slurry)来研磨的。 为什幺要实现芯片的平坦化？ 答：当今电子元器件的集成度越来越高，例如奔腾IV 就集成了四千多万个晶体 管，要使这些晶体管能够正常工作，就需要对每一个晶体管加一定的电压或电流， 这就需要引线来将如此多的晶体管连接起来，但是将这幺多的晶体管连接起来， 平面布线是不可能的，只能够立体布线或者多层布线。在制造这些连线的过程中， 层与层之间会变得不平以至不能多层迭加。用CMP来实现平坦化，使多层布线 成为了可能。 CMP在什幺线宽下使用？ 答：CMP在0.25微米以下的制程要用到。 removal rate ? 什幺是研磨速率（ ） 答：研磨速率是指单位时间内研磨膜厚度的变化。 研磨液(slurry)的组成是什幺？ 答：研磨液是由研磨颗粒(abrasive particles)，以及能对被研磨膜起化学反应的 化学溶液组成。 为什幺研磨垫(Pad)上有一些沟槽(groove)？ 答：研磨垫上的沟槽是用来使研磨液在研磨垫上达到均匀分布，使得研磨后芯片 上的膜厚达到均匀。 为什幺要对研磨垫进行功能恢复(conditioning)? 的机台来测量。)Rsorresistance sheet(内厚度的变化。由于钨是不透光的物质，其厚度的测试需由测方块电阻 是指化学机械研磨速率，即单位时间rateremove ),钨(Tungsten是指W 答： 方法来？ 用什用什么么 RateRemoveW . ）corrosion（腐蚀 ),(residue残留物 ),scratch(常见的缺陷有划伤CMP 答： ）是什幺？defect常见的缺陷（CMP 等。CMPCu Poly,W, Oxide, 分为CMP 答：对不同膜的研磨， 分为几类？tool)(processCMP 对后面的工序有害，必须要清洗掉。 这些是 ，会有大量的研磨颗粒和其它一些残留物留在芯片上 ，芯片在研磨后 ：答 在研磨后，为什幺要对芯片进行清洗？ 到研磨的面积要小，所以总的压强大，研磨速度大。 接触wafer Blanket 总的接触到研磨的面积要比 ，而且 。）关系式Preston想 回（研磨速度大 ，大pressure)(高的地方压强 ，有的地方低 ，上有的地方高wafer pattern不一样是由于rateremoval的waferpattern 与 wafer Blanket 答： 会不一样？rateremoval的waferpattern 与 wafer Blanket 为什幺 。是不一样的rate removal的wafer pattern 与 wafer blanket 答：一般来说， 会一样吗？rateremoval的waferpattern 与 wafer Blanket 是指有图形的芯片。wafer pattern 是指无图形的芯片。wafer blanket 答： ？wafer pattern什幺是 ？wafer blanket什幺是 性。 从而影响研磨的均匀这些都会影响研磨液在研磨垫的分布 研磨垫上和沟道内,