4H-SiC+p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究.pdfVIP

4H．SiC p-i-n紫外光电探测器的屯容-电压特性研究 蔡加法，陈厦平，洪荣墩，吴正云 (厦门大学物理系，福建厦门361005) 4H．SiC禁带宽度大、本征载流子浓度低、化学和热学稳定性高，基于4H-SiC p-i．n结的 光电探测器的紫外．可见光抑制比高、暗电流低、响应速度快、无光电导增益、无需高反向 偏置电压等优点，可工作于高温、高辐射11。1等极端环境中，是高频、低照度紫外线检测的 首选器件结构之～。但是，本征(i)层有可能会引入额外的深能级缺陷从而形成载流子的 复合中心，导致器件的性能下降，因此研究这些深能级缺陷行为随光电探测器工作条件如反 向偏置电压、温度等的变化情况将有助于了解其对器件性能的影响程度，从而有助于找到在 器件制各过程中减少或消除它们的方法和途径。 4H．SiC P．i—n光电二极管生长在掺杂浓度为1．0x1020cm-3的n+衬底上，先生长一层2岬1 i型有源层，最后生长0．21map+型层， n型缓冲层，接着生长0．5p．m n，i和p+型层的掺杂浓 样品表面用交叉干、湿氧化法在l1000C生长5小时形成约70hm厚的热氧化层，口+和n+型 欧姆接触分别用Ti／Ai／Au和Ni／Au合金溅射并在氩气氛围中退火以950oC退火12分钟形成， 璃作为器件的光学窗口。 由图可以看出，在相同温度和相同反向偏压条件下，结电容均随测试频率的增大而减小， J、AIGaNt8J制成的p—i—n光电 大为8．6pF。到目前为止，已在多种半导体材料如Si【6J、GaNp 探测器中观测到结电容的这种频率依赖性，而对于4H．SiC材料P-i-n结构光电探测器到目 前还没有见到相关的报道。通常认为结电容随频率增大而减小的原因在于i型有源层中存在 深能级缺陷。由于这些深能级缺陷只对低频电压微扰有响应，即只有其热离子发射速度大于 测量信号的频率，它才对这种交流微扰信号有响应【9J，因此，随着测试频率的减小，参与俘 获过程的缺陷的数量增大，电荷充放电效应增强从而导致结电容随频率减小而增大。另一方 面，在反向偏置条件下，内建电场将随偏置电压的增大而增强，带电载流子被抽运出耗尽区 的速度增大，交流微扰下参与充放电过程的电荷数量减小，在此条件下结电容将随偏压增大 而减小，这就是100kHz测量频率下，电容具有很强的偏压依赖性的主要原因。 对于1MHz测试频率，在300．370K温度范围内，结电容几乎不随反向偏压变化，主要 原因有两点：第一，深能级缺陷对该频率交流微扰信号无响应：第二，i型层在低偏压下已 完全耗尽。温度进一步上升，结电容随之线性增大，可能的原因之一是耗尽区附近存在一层 施主薄层【l】，温度较低时(370K)，这些施主未被离化，但随着温度升高，它们逐渐被热离 化，在交流微扰电压激励下参与电荷的充放电过程，从而导致电容随温度升高而增大。 由此可见，在0V偏压下，光电探测器的i层已完全耗尽，此时增大反向偏置电压并不 能有效减小结电容。由此可认为对于本文的p-i-n光电探测器，即使在高速应用时，器件仍 然可以工作在OV偏压下。这种特性对于高速、低照度的光电检测应用特别有利，因为这一 方面有助于减小由偏压引入的额外暗电流从而提高光电检测电路的信噪比，另一方面能简化 173 应用电路。 对于lOOkHz测试频率，温度较低(340K)时，结电容随温度增大而快速增大，但温 度超过380K时，结电容增大的幅度开始趋缓，表现出近似饱和的趋势；同时，在测量温度 范围内，给定温度下的结电容均随偏压增大而减小，并且不同温度时的变化规律大致相同， 即各条曲线的斜率基本一致。如上所述，由于深能级缺陷对该测试频率有响应从而导致相同 温度、相同偏压下其结电容值比IMHz的值更大。另一方面，随着温度升高，被深能级缺陷 俘获的载流子被热激活从而使有效空间电荷浓度增大．电荷充放电效应增强，测量得到的电 容值随之增大。温度进一步上升(380K)，几乎所有被深能级缺陷俘获的载流子均被热激 活，电容增大的幅度趋缓。当温度达到460K