Ag%2fBi-%2c3.25-La-%2c0.75-Ti-%2c3-O-%2c12-%2fBi-%2c4-Ti-%2c3-O-%2c12-%2fSi结构铁电薄膜制备与其铁电性能的研究.pdfVIP

1442 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 Ag/Bi La Ti O /Bi Ti O /Si 结构铁电薄膜制备及其 3.25 0.75 3 12 4 3 12 铁电性能的研究* ∗ 1 1 1 2 1 1 1 郭冬云 ，王耘波 ，于 军 ，付承菊 ，高俊雄 ，李建军 ，陈万军 （1. 华中科技大学 电子科学与技术系，湖北 武汉 430074 ； 2. 武汉理工大学 材料科学与工程学院，湖北 武汉 430070 ） 摘 要：利用溶胶-凝胶 （sol-gel）方法，在硅基底上 薄膜生长过程中，容易c 轴取向，因此 BTO 薄膜的 制备了Bi La Ti O /Bi Ti O /Si 铁电薄膜，其中 剩余极化强度也非常小 （4~8µC/cm2 ），而且还存在疲 3.25 0.75 3 12 4 3 12 Bi Ti O 作为缓冲层。用XRD 方法分析了该结构铁 劳现象。近年来，研究表明对 BTO 进行适量稀土镧 4 3 12 电薄膜的物相结构；用扫描电镜对薄膜样品进行表面 掺杂 （Bi La Ti O ，简称BLT ）后，其铁电性能 3.25 0.75 3 12 形貌观察；并且对该结构的铁电性能进行了研究。 大大改善：较大的剩余极化强度 （16~20µC/cm2 ），较 关键词：铁电薄膜；Bi La Ti O ；Bi Ti O ；sol-gel 法 低的制备温度（600 oC 左右）和优良的抗疲劳特性。 3.25 0.75 3 12 4 3 12 中图分类号：TN304 文献标示码：A 这些特性说明 BLT 铁电薄膜很适合应用于铁电存储 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 器[7,8] 。 本文主要报道了利用 sol-gel 法在硅基底上制备 1 引 言 BLT 铁电薄膜，为了阻止半导体表面载流子向铁电薄 膜中注入，人们通常采用在铁电薄膜与半导体界面层 铁电存储器是利用铁电体材料自发极化的固有 中加入缓冲层。作为缓冲层的材料要尽可能满足以下 特性提供“0 ”、“1”两种双稳状态来实现非易失性存 几个条件：与半导体晶格常数、晶体结构与功函数相 储，综合了SRAM 的高速、DRAM 的高密度和Flash 匹配的薄膜材料，尽可能在较低的温度下制备优质而 的非易失性特点，同时还具有功耗低、读写周期长、 相匹配的外延或单晶铁电薄膜以防止界面反应，从而 抗辐射等优异的性能，已成为存储器家族中最具有发 展潜力的成员之一[1] 。在信息处理、传输与移动通信 降低薄膜内的缺陷浓度与界面态密度[9] 。在这里，我 等很多领域，有着非常广阔的发展应用前景[2] 。 们选择BTO 作为缓冲层，对这种MFS 结构