稀土掺杂半导体纳米晶性质的探究.pdfVIP

稀土掺杂半导体纳米昌性质研究 曲胜春王威金鹏何军刘峰奇王占国 中嗣科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京912信蓓，100083 ■墨t使用共沉淀方法．I；I无机前驱体为原液．在刖醇二元体系中制鲁了均分敬的ZnS拂土掺杂化合物半导体蚋米晶。 高分辨遗射电镜观察衰孵产物形貌为近球形．平均粒径为3--5纳米-与由X-ray衍射潜使用Deb”-Scherrer公式计算的 XPS元素分析显示 结果相一致．也表明产物有较好的结晶性：同时，X-ray粉术衍射研究表明产物为立方闪锌矿结构i 了E一+离子在ZnS晶格中的有效．稳定掺杂{在光最发光研究中．观察到了ZnS纳米晶在室温下的稳定可见光发射．特 别是在掺杂蚺米晶的发射谱中观察到了由掺杂离于引恕的敢峰结构．井给以指认．实验结果也表明．通过控制合成条件 可以制鲁稳定稀土掺杂的化合物半导体|内米品．解决了稀土离予园价态高、半径大在纳米晶中难于稳定掺杂的问题． 关l讯半导体蚺米晶’钦l子期“ 1．引 言 量子点、纳米晶或团簇是指载流子在三维空间受到限制的体系，其物理、化学性 质与相应的体材料相比将发生显著的变化，显示出一些新的、优异的性质，从而使材 料的应用范畴发生根本性的变化。在过去的十年中，纳米材料科学研究领域吸引了很 多研究者的兴趣，并得到了快速发展。半导体纳米晶(量子点)材料具有优异的物理、化 学性质，特别是光电物理性质，因而在很多领域有着广泛的应用前景。当材料粒度小 于其相应的玻尔激子半径时将表现为显著的量子效应，对于半导体纳米晶，量子效应 表现为能隙展宽、能带分裂，对应吸收边的蓝移及多峰结构，以及电子态密度的变化， 激子结合能增大、振予强度和复合几率增大等。 另一方面，随着纳米材料颗粒尺寸减小，其表面态随粒径的减小急剧增加，这种 o-”．1 表面态引起的非辐射复台中心的复合寿命极短，使产生的载流子在1 o．14秒范围 内就被束缚到表面态中，而激子的复合发光难以与这一过程竞争，即纳米团簇材料应 ·17,5· 有的强激子发光被表面态引起的无辐射跃迁破坏，导致多数纳米材料的发光较弱，甚 至观察不到激子发光。在减小颗粒尺寸的同时。抑制、减弱因表面态增多而增强的无 辐射跃迁，提高纳米材料的发光效率，从而制备具有量子效应的新型半导体材料是现 今该领域的研究课题之一。 我们通过对纳米颗粒进行“表面修饰”和在纳米晶中引入发光中心的办法来有效 地抑制无辐射跃迁，提高发光效率。同时由于在主晶格中掺杂离子的引入，产生了新 的光学现象．纳米半导体的研究工作既具有很高的学术价值，又有着广泛的应用前景， 是现今科学研究的一个前沿课题。 2．实验方法 实验所用原料为分析纯化学试剂，以去离子水为溶剂。共沉淀反应后的溶胶经离 心分离一洗涤一离心分离，在40℃下真空干燥得到粉体纳米材料。 H一9000NAR 产物形貌通过Hitachi HR-TEM高分辨透射电镜观察；使用Rigaku D／max-2400 X-ray衍射仪研究材料结构，采用铜靶的Ka线，同时X-ray衍射谱也被用 YVON 来估算产物粒度；使用JOBIN H25光谱仪进行光致发光测试。以He．Cd激光器 的325nln线作为激发源。全部测试是在室温下完成的。 3．结果与讨论 图l是四个Eu3+离子掺杂ZnS样品的XRD谱，这四个样品的Eu“离子摩尔掺杂 浓度分别为(a)O％，(b)1％，(C)2％，(d)5％。由图中可以看到它们都表现为闪锌矿结 nnl，而由HRTEM观察到的平均 构。由衍射峰(111)、(220)、(311)计算的平均粒度为3 粒度分别是4nm(常温下制备的非掺杂ZnS)和5