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稀土掺杂半导体纳米昌性质研究
曲胜春王威金鹏何军刘峰奇王占国
中嗣科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京912信蓓,100083
■墨t使用共沉淀方法.I;I无机前驱体为原液.在刖醇二元体系中制鲁了均分敬的ZnS拂土掺杂化合物半导体蚋米晶。
高分辨遗射电镜观察衰孵产物形貌为近球形.平均粒径为3--5纳米-与由X-ray衍射潜使用Deb”-Scherrer公式计算的
XPS元素分析显示
结果相一致.也表明产物有较好的结晶性:同时,X-ray粉术衍射研究表明产物为立方闪锌矿结构i
了E一+离子在ZnS晶格中的有效.稳定掺杂{在光最发光研究中.观察到了ZnS纳米晶在室温下的稳定可见光发射.特
别是在掺杂蚺米晶的发射谱中观察到了由掺杂离于引恕的敢峰结构.井给以指认.实验结果也表明.通过控制合成条件
可以制鲁稳定稀土掺杂的化合物半导体|内米品.解决了稀土离予园价态高、半径大在纳米晶中难于稳定掺杂的问题.
关l讯半导体蚺米晶’钦l子期“
1.引 言
量子点、纳米晶或团簇是指载流子在三维空间受到限制的体系,其物理、化学性
质与相应的体材料相比将发生显著的变化,显示出一些新的、优异的性质,从而使材
料的应用范畴发生根本性的变化。在过去的十年中,纳米材料科学研究领域吸引了很
多研究者的兴趣,并得到了快速发展。半导体纳米晶(量子点)材料具有优异的物理、化
学性质,特别是光电物理性质,因而在很多领域有着广泛的应用前景。当材料粒度小
于其相应的玻尔激子半径时将表现为显著的量子效应,对于半导体纳米晶,量子效应
表现为能隙展宽、能带分裂,对应吸收边的蓝移及多峰结构,以及电子态密度的变化,
激子结合能增大、振予强度和复合几率增大等。
另一方面,随着纳米材料颗粒尺寸减小,其表面态随粒径的减小急剧增加,这种
o-”.1
表面态引起的非辐射复台中心的复合寿命极短,使产生的载流子在1 o.14秒范围
内就被束缚到表面态中,而激子的复合发光难以与这一过程竞争,即纳米团簇材料应
·17,5·
有的强激子发光被表面态引起的无辐射跃迁破坏,导致多数纳米材料的发光较弱,甚
至观察不到激子发光。在减小颗粒尺寸的同时。抑制、减弱因表面态增多而增强的无
辐射跃迁,提高纳米材料的发光效率,从而制备具有量子效应的新型半导体材料是现
今该领域的研究课题之一。
我们通过对纳米颗粒进行“表面修饰”和在纳米晶中引入发光中心的办法来有效
地抑制无辐射跃迁,提高发光效率。同时由于在主晶格中掺杂离子的引入,产生了新
的光学现象.纳米半导体的研究工作既具有很高的学术价值,又有着广泛的应用前景,
是现今科学研究的一个前沿课题。
2.实验方法
实验所用原料为分析纯化学试剂,以去离子水为溶剂。共沉淀反应后的溶胶经离
心分离一洗涤一离心分离,在40℃下真空干燥得到粉体纳米材料。
H一9000NAR
产物形貌通过Hitachi HR-TEM高分辨透射电镜观察;使用Rigaku
D/max-2400
X-ray衍射仪研究材料结构,采用铜靶的Ka线,同时X-ray衍射谱也被用
YVON
来估算产物粒度;使用JOBIN H25光谱仪进行光致发光测试。以He.Cd激光器
的325nln线作为激发源。全部测试是在室温下完成的。
3.结果与讨论
图l是四个Eu3+离子掺杂ZnS样品的XRD谱,这四个样品的Eu“离子摩尔掺杂
浓度分别为(a)O%,(b)1%,(C)2%,(d)5%。由图中可以看到它们都表现为闪锌矿结
nnl,而由HRTEM观察到的平均
构。由衍射峰(111)、(220)、(311)计算的平均粒度为3
粒度分别是4nm(常温下制备的非掺杂ZnS)和5
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