CeO-%2c2-掺杂Ba(Zr%2cTi)O-%2c3-基电容器陶瓷地研究.pdfVIP

1296 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 CeO2 掺杂Ba(Zr,Ti)O3 基电容器陶瓷的研究 ∗ 黄新友，高春华，陈祥冲，周浩伟，谭红根 （江苏大学材料科学与工程学院，江苏 镇江 212013 ） 摘 要：采用传统电容器陶瓷制备工艺，研究了CeO2 根据文献[5,6]得到了综合性能好的基本配方，在 加入量对Ba(Zr,Ti)O3 （BTZ ）基电容器陶瓷性能的影 该配方的基础上添加不同 CeO2 的量，以期望研究 响，得到了 CeO2 影响其性能的规律，即随着 CeO2 CeO2 对 Ba(Zr,Ti)O3 基电容器陶瓷性能和结构的影 加入量的增加材料的介电常数开始增大随后减小，当 响，具体配方组成列于表1。 W （CeO2 ）=1.0%时介电常数最大，而介质损耗开始 表 1 不同CeO2 加入量的配方 增大然后减小随后增大；当W （CeO ）=0.5%时介质 Table 1 The formula of various CeO additive amount 2 2 损耗最小。CeO2 有降低居里温度及展宽介电常数-温 配方号 1 2 3 4 5 6 度峰的作用，并且能使材料介电常数温度系数减小。 添加CeO2 量 0 0.3 0.5 1.0 2.0 5.0 W （% ） 得到了综合性能好的电容器陶瓷。探讨了 CeO2 加入 2.2 样品的制备 量对BTZ 基电容器陶瓷性能的影响机制，即CeO2 是 采用电容器陶瓷制备工艺制备样品[5~7] ，原料中 通过与 BTZ 形成缺陷固溶体、移峰、偏析晶界及抑 除 BaTiO 、BaZrO 等预先合成以外，其他原料均用 制晶粒生长等来影响瓷料性能和结构的。 3 3 化学纯原料。 关键词：CeO2 ；陶瓷电容器；陶瓷；锆钛酸钡；性能 2.3 测试 中图分类号：TQ174 文献标识码：A 采用 YY2814 数字电桥测量仪测量样品在室温 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 （20 ℃左右）、1KHZ 频率下的介质损耗 （tg δ）、电 1 引 言 容值，并按文献[5]的公式计算介电常数。 采用YY2814 数字电桥测量仪和烘箱测定介电常 陶瓷电容器是目前飞速发展的电子技术的基础 数与温度的关系，并按下式计算介电常数温度系数： 之一，随着集成电路(LC) 、大规模集成电路(LSI) 的发 TK ε= （ε－ε）/ （ε×△T）式中ε－最大介