LaAlO-%2c3-单晶基片上制备Ba-%2c0.5-Sr-%2c0.5-TiO-%2c3-薄膜的透射电镜探究.pdfVIP

电子显微学报JChin．ElectrMiemsc．Soc 2004年 23(4)：400—400 的透射电镜研究 田焕芳1，朱小红2，虞红春1，刘立宝“3，陈寒元1，张怀若1，周玉清1，郑东宁2，李建奇1 (中国科学院物理研究所l北京电子显微镜实验室，2超导国家重点实验室，北京100080； 3哈尔滨工业大学(威海)，山东威海264209) 错配度大4．2％，后者和标准值4．1％一致。为了更 铁电钛酸锶钡(Ba。sL)Ti03(BSTO)薄膜材料 具有很好的可调性，在微电子工业有广阔的应用前 清楚地了解界面结构及其生长机制进行了高分辨研 究。图c为界面的高分辨照片，可以看出沿界面方 景”。“。本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(001) 向存在周期性边界位错，造成该方向的晶格畸变，对 LaAl03单晶基片上外延生长了Baz，sro。Ti03薄膜。 利用透射电子显微镜对薄膜的截面样品进行了微结 薄膜的柱状生长起了一定作用；界面处周期性边界 构和界面行为的研究。 位错之间生长速度较慢的晶粒被抑止，而两侧较大 晶粒逐渐融合生长。图d是图c中两个较大晶粒逐 图a为Bao，Sro，Ti03薄膜截面样品的明场TEIVl 形貌像，可以看出所制备的薄膜厚度约为270nm，厚渐生长到表面的高分辨照片，可以看到有的地方两 度基本均匀一致，且薄膜和基体之间有很清晰的界 个晶粒之间融合较好，有的地方还没有形成明显的 面；薄膜星柱状生长，与基体满足关系[010]日，，晶界。图e为界面处薄膜和基体的原子分布示意 图，基体最后生长的原子面是La原子面，而薄膜最 [010]。。和[001]。／／[001]LaO，生长过程中形成很多 先生长的原子面是Ti原子面。 v形的晶粒边界如图中黑线所示；还可以看到薄膜 参考文献： 表面有很多生长台阶，是因为不同晶粒生长速度而 ScottJS．Ferroelectr [1j Rev，1998，I：1． 造成的。图b为界面的选区电子衍射图，可以看出 Gao14J，ChenC S GP， 【2] L，RaffertyB，PennycookJ，Luo 薄膜的晶体质量很好，衍射花样中高阶衍射斑点有 ChuCW．ApplP}IysLett，1999，75(17)：2542 劈裂现象，所测a轴和b轴方向(和界面平行)点阵 错配度约为5．2％，比c轴垂直于界面方向的点阵 BSTO／LAO界面高分辨像及其原子分布图(Bar=lnm)。