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第八届光伏会议论文集 调谐单探针研究等离子体电子特性 魏俊红 林璇英 赵韦人 池凌飞 余云鹏 林揆训 黄锐 余楚迎 (汕头大学物理系, 汕头, 广东515063) 摘 要：本文采用加热的调谐单探针研究了射频辉光放电等离子体空间电子能量分布函数，电子平均能量和电子密度，并 系统地分析了各工艺参量对于等离子体空间电子特性的影响。 关键词：调谐单探针 射频辉光放电 等离子体 中图分类号：O484.1; O484.4; O484.5 文献标识码：A 0．引言 等离子体增强化学气相沉积（PECVD ）是制备现代功能薄膜材料的重要工艺技术，已经广泛地应用 到制备大面积微电子器件，光电转换器件以及光电子显示器件等领域。射频辉光放电形成的等离子体是 非平衡态等离子体，激励反应物的电子能量分布范围较宽，其能量分布情况，平均能量以及密度大小， 均直接影响等离子体空间各种反应的发生。等离子体中空间反应的起因是从电场中获得能量的高速电子 与气体分子进行碰撞，碰撞中能量发生转移，使气体分子激发，离解或电离，形成各种激发分子或活性 离子。而射频辉光放电PECVD 中，等离子体的电子特性强烈依赖于各工艺参量如放电功率，反应室压 强，反应气体流量，衬底温度等。因此，探测等离子体参量，是研究材料沉积机理必经之道。 [1-4] 目前已经报道了多种诊断等离子体的方法 ，其中对于荷电粒子测量，最简单、最方便的有效方 法是Langmuir 探针技术。由于Langmuir 探针技术能在大的条件范围工作，结构简单，可与等离子体直 接接触，而且可以对等离子体的各个部位进行测量，因而得到广泛的应用。 我们实验室用新材料SiCl4 作为气源，采用射频辉光放电PECVD 法低温沉积多晶硅薄膜，并首次在 [5,6] 200 ℃的低温下制备出了晶化度达80 ％以上的多晶硅薄膜 。为了进一步提高其沉积速率和晶化度，必 须研究薄膜沉积机理，寻找最佳工艺条件。薄膜的沉积过程可以分为空间气相反应过程和表面反应过程， 实验结果表明，在以 SiCl4 为源气体制备多晶硅薄膜的过程中，空间气相反应对于薄膜的低温晶化起到 更为重要的作用[7] [8] 。我们拟采用调谐加热单探针技术 对等离子体空间状态进行诊断。Ar ，H2 作为材料 制备中的掺杂和稀释气体，对于整个等离子体空间及成膜过程有着不可忽视的作用。本文采用调谐加热 单探针技术首先测量了Ar ，H2 等离子体空间的电子能量分布函数(EEDF) f (E ) ，电子平均能量和电子 密度等电子特征参量, 并分析电子特征参量与PECVD 工艺参量的依赖关系。 1.实验 本实验采用普通单室平行板电极电容耦合式射频辉光放电PECVD 系统, 如图1 所示。放电电极由 不锈钢材料制成，上电极中装有加热装置，射频功率源Prf 向系统提供13.56MHz 的工作频率。电极间距 固定在18mm，探针P 位于距上电极7.5mm 处，测量是由计算机控制的Keithley617 静电计完成的，计 算机将探测到的探针偏压和探针电流一一对应，就得到了探针的I-V 特性曲线。测量回路中加入了滤波 和调谐电路，调谐电路中由L1 和C1 组成的感容并联单元调谐于射频工作频率，以滤掉探针电流信号中 的射频成分，有效地抑制射频带来的对探针曲线的干扰。 基金项目：国家重点基础研究 “973 ”发展规划项目（G2000028208 ） 246 调谐单探针研究等离子体电子特性 图1 实验系统 Fig.1 Experiment system schematic 2.数据处理