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2004’全嗣真空冶盘与衰砸工提学术研讨会会议论文集
退火处理对CdIn：o．薄膜光电特性的影响及温差电动势的研究
杨丰帆，王万录，廖克俊，竹光宗，张瑞俭，曹春兰
(重庆大学应用物理系。重庆400044)
摘要t研究了直流磁控反应溅射制备三元化合物CdIntO。薄膜(筒称CIO膜)的光电性质和温差电动势，及
其反应气体中氧浓度和退火处理对CIO膜性质的影响．结果表明CIO膜在可见光区有良好的导电性和透光
性，退火处理明显提高了膜的透光率和载流子浓度，这一影响对CIO的广瑟应用其有重要的意义。
关键调tCIO曩i光电特性I遇火处理l童差电动势
中圉分类号；TN305．8,TGl56．2
文献标识码tA
effecton of filmand
Annealing CdIn2．o‘thin
photoelectricproperty
itsthermoeleIltto．toti,iveforce
YANG Wan—lu，LIAO Chun-fan
Ke—jun，FU
Feng-fan，WANG Guang．-zong，ZHANGRui．一jian，CAO
of 400044，China)
(DepartmentApplied尸hysicsChongQing
University，Chongqing
and CIO DC
Abstract：The thermoeleetromotive：[orcethinfilm of re—
photoelectricproperty o{CAIn±O‘or depositedby
way
well in
were as ofthe
active theeffects O￡concentration andan—
magnetron process reacting
sputtering investigated，as gas
On ofCIO showed thinfilms
the films．Theresults thatC10 havefavorab]e andtrans-·
process
healing property conductivity
within the can the
mittancevisible transmittanceandcarrierconcentration
spectrum，andan
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