自旋极化电流从铁磁金属注入半导体地研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 自旋极化电流从铁磁金属注入半导体的研究 吴云，张玉明，张义门，黄戈楠 (西安电子科技大学微电子研究所，西安，710071) (教育部宽禁带半导体材料重点实验室，西安，710071) 摘要： 本文通过求解一维定态薛定谔方程，得到自旋电子直接遂穿金属一半导体肖特基势垒 的自旋极化率。在偏压很小时，自旋极化电流没有足够的能量来越过势垒，在偏压适中时， 可以达到相当大的自旋极化率，在没有绝缘层的情况下，选择合适的半导体例如 AIGaAs／GaAs，由于金半接触形成的肖特基势垒起到了自旋相关势垒的作用，同样可以 获得可观的自旋极化率。 关键词：金属一半导体接触，直接隧穿，自旋极化率 Abstract： TheSimulationofthe whichtheelectrontunnel the spininjection throughSchottky barrierformedthecontactofmetalandsemiconductorone—dimension by USing findasthebiasiS small．the time—independentSchrSdingerequation．We very iStoosmallfor currentto the when energy spinpolarized gothroughbarrier，yet thebiasiS sound canbeobtainedwithoutthe moderate，thespinpolarization metalandthesemiconductorifthe insulatorbetweenthe semiconductor layer proper iSselectedsuchasAlGaAs|GaAs． words：metal—semiconductorcontact，tunnel Key directly，spinpolarization 1 引言： 自旋电子学对实现高速、低功耗下一代电子器件有着重要的意义u1。要实现基于半导 体的自旋电子器件至少要克服如下四个问题：l，通过合适的半导体异质结使自旋载流子 能有效的注入；2，在半导体内能保持较长的自旋驰豫时间，自旋载流子能有效输运；3， 能有效的控制自旋载流子来实现我们期望的功能；4，能有效的检测出自旋载流子，从而 能有效输出。因此，实现自旋电子器件最重要的因素就是能实现高效自旋极化电子注入。 自旋极化电子从铁磁金属通过欧姆接触注入半导体后，其自旋极化率非常小，一般只有 0．1l～1％旧。。Rashba∽J和Fertl4J等人提出了在铁磁和半导体间加一势垒，利用自旋相关 遂穿电阻来提高自旋电子的注入效率。近几年，我们经常用FM／I／sM，铁磁／绝缘层／半导 体，这种三明治结构。 我们之所以选择铁磁金属是因为它有很高的居里温度，在室温下作为自旋电子源， 并且由于磁技术的广泛应用其材料生长也达到了很高的水平。自旋极化电子注入半导体 后，十分有意思，能保持很长自旋驰豫时间。薄绝缘层，它引入了自旋相关势垒，对不同 自旋电子进行选择，能有效的提高注入自旋极化率。 本文讨论了金属和半导体直接接触。金属与半导体接触时，其界面处能形成肖特基 势垒，既然有势垒，与绝缘层形成的势垒一样，应该一样能对不同自旋电流有选择。通过 模拟，发现在一定偏压下，有较大的自旋极化