运动薄壳体上电磁场平均边界条件的推导.pdfVIP

电工数学进展 =丑直丸垒殛堂笪垫璺鲤堂丛鲤墅坠廷笪 !!塑 运动薄壳体上电磁场平均边界条件的推导+ 刘宝林袁建生马信山 (清华大学电机工程与应用电子技术系。北京1∞0钳) 揸耍 eoHtoBwq 敬利用JI t立阻抗逍鼻豢件的艄，采用届静平面麓近佩涪．辱出了运动—■体 壳上电捌秘孵嘲魁-条件结耵唧蝴胡嘲喇曲．．曲■馘并囊氡—隋朗鲫臃曩黑埽—冁 。 E e t D H o由e o衡量I的●-止赫体上电t墙的平均边界秉件只是本文所得平均边，-囊件的—个●●舅． 关t字：电磁辱■尊辱体壳平均边弄条件 1前言 eo toBH H 早在1948年，苏联科学家JI q在研究无线电波绕地球传播问曩时藏提出了 eoHToBH 阻峁扔绦件。它剁毗键嘲膊表面电蕲胁明田两起的碳系i掣．黎旧JI q的l且抗 边界条件来取代电磁场中的经典边界条件，可以大大简化电磁波在导体上靛射闯曩的分析．随 e K eo o 后许多科学工作者，其中特剐是Epo由eH o利用JI HT BHq建立阻抗边界条件 的思想，研究了静止薄导体壳的电磁屏蔽问题，描述了电磁波往薄壳体内渗遥的过程．在屏蔽 边值问愿建立时，将薄壳体用一理想的面替代，然后在该面上引入一种特殊弗式的边界条件， 称之为平均边界条件‘”．本文采用上述方法来研究运动薄壳体的电磁屏蔽问怎，利用局部平面 波近似法，导出了运动薄壳体上电磁场的平均边界条件，谈边界条件与薄壳体外两饲的电磁场 有关，而与薄壳体内的电磁场无关。导出结果表明，静止薄导体壳上电磁场的平均边界条件只 是本文的一个特例。 t 2平均边界条件的推导 在均匀的各向同性的空间中有一封闭的薄壳体s^，厚度为△，内外面sl和s2非常光滑．假 ’回国留学人员科研启动费蟹助项目和高等学校博士学科点专项科研基金壹助项日 设薄壳体内任意一点介质的速度为L方向沿薄壳体表面切线方向．为了简化屏蔽边值问置的求 解，将薄壳体用一理想的面s替代，使得该面与薄壳体的中界面重合．在该面上引入一种特殊 形式的边界条件，称之为平均边界条件．用Ql和a2分嗣表示薄壳体s。的内侧和外侧区域，在 区域Qj(j2l，2)内，介质的电导率、介电常羹和t导卑分别为T，_o、。j和”J，而薄壳体本身的 电导率、介电常数和磁导率分别为T、e和p．薄壳体受刊来白区域啦内初始场晶．塌的作用， 在区域QJ内电磁场分别用昂局表示，且是=乓+墨。_r2=风+彤，其中罡，娥为反射场， 假定时谐因子为e-iu． 电磁场与，玛在区域oj内蔫足麦克囊维方程 。 峨耳一i％^。 峨焉=i·”j％ (1) 在薄壳体s。内，电磁场县量漓足■下形式的麦克新维方程 l雠E=i·11日，戚日—一i％冒+州-，×硼 (2) 其中e，；B+i上。∞—．炀的角频率． 下面将推导平均边界条件．首先将尊壳体进行膏敌，这样离散后的每一小块可以看成平面 块，且每一小块的各个参数都是恒定的，为此，可售助于以恒定速度y=吒II+‘‘y运动的无限 大的平面块Dlos：s△}来导出平均边界条件．设r搀=田和r2(z=A)分别表示平面块口的两个面， 在口内电磁场局日满足方程(2)，而场耳，耳在相应区域日(Ⅸo)和马(zA)内满足方程(1)· 将方程(2