CH-%2c3-CSNH-%2c2-%2fNH-%2c4-OH钝化GaInAsSb%2fGaSb+PIN红外探测器的研究.pdfVIP

2004年8月夫堆 整筚九墒金幽b甜体薄腆学木案议 CH3CSNH2／NH40H钝化GaInAsSb／GaSbPIN红外探测器的研究+ 刘延祥12 夏冠群2 唐绍裘1 程宗权2 郑燕兰2 (‘湖南大学材料科学与工程学院，湖南，410082’ (2中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海，200050) 使其暗电流降低一个数量级，动态电阻增大25倍多；且钝化83天后保持良好的钝化效果，取得r与LNH。j2S溶 液一样理想的钝化效果。并采用AES对钝化前后的GalnAsSb材料进行了分析。 关键词：CH3CSNH2／NH40H GalnAsSb钝化， of PassivationontheGaInAsSb／GaSbPIN Research CH3CSNH2／NI-LOH Liu Guanqun2，Tang Yanlan2 Yanxian91”．Xia Shaoqiul，ChengZongquan2，Zheng and ofMaterialScience (‘School Engineering，HunanUniversity．Hunan，410082) “ShanghaiInstituteofMicrosystem Abstract：Anew sulfur methodis forGalnAsSb detector low·toxicitypassivation developed compound by solution．Measurementresultsshowreveasecurrentsdecreasedand resistanceincreased CH3CSNH：／NI-LtOH greatlydynamic after of to25 the reseteve41beuer 83 the idealresultof up dmes，and days equal passivwhon passivation，witll suMhm isusedto elementwitll analy∞thedensityetchingdepth． passivation．AES GalnAsSb Keywords：CH3CSNHz／NI-hOHpassivation l、引素 材料制备的红外探测器可赢接在室温下工作，并且具有响应速度快、灵敏度高、稳定性好等特点， 因此逐渐受到人们的重视”“。但是，同其它化合物半导体一样，高的表面态密度和表面复合速率， 限制了GalnAsSb四元红外探测器的性能的提高。 有Na离子，从而影响探测器的性能及工艺；而采用(NH4)2S溶液会产有害性气体，造成环境污染。 样理想的钝化效果。 2、实验方法 P型掺杂GalnAsSb外延层，其器件基本结构如图1所示。 +基金项目：国家自然科学基金资助(No com) 作者筒介：刘延祥(1978一)，男，硕士(E--mail：sdliuyanxiang@21cn ．49- 2004牛8月夫l