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衬底材料对Sc膜形貌、结构的影响
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中图I．挫物理研究院核物理与化学研究所四川绵RI621900)
1序言
钪sc氢化物具有极低的离解平衡压，在高温储氢方面具有极为明显的优势。为了
更好地指导后期吸氘实验的进行．有必要详细地研究镀膜过程及工艺参数对sc膜的影
响。
在众多的镀膜方法中，电子束沉积法因对衬底无损伤，沉积速率快且成本低而备受
青睐。本文采用电子束沉积方法在沉积速率为50：L25A／S时，在粗糙Mo、光滑Mo
(RMS一0
836nm)及单晶Sioll)t
行了分析。各条件下sc膜的平均厚度为2岬。
2结果与讨论
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幽】不同底衬材料及其对sc膜形貌结构的影响 幽2不同底村上sc膜的形貌变化
图l结果表明：sc膜的择优取向不受Mo底村孝}}糙度的影响，均为(002)择优取向。
但其对膜表面的平整度影响技为明显：耦糙基底上sc膜起伏不平，由形状不规则的块
状晶粒堆积而成，由于晶粒之州发生了相互熔合．晶粒边界模糊不清：底衬的表面凸凹
不平，其上的大量生长表面、台阶和拐角等为膜的形核提供了_大世支撑点，此时膜倾向
F以岛状方式生长。抛光底衬上sc膜较平整．晶牲之『丑J相互吞并联合，呈现出不规则
．作者简介甍衍共11985-l_☆．iql自#．n唾博h括档车}砧目’，村H
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的大块晶粒镶嵌结构，部分晶粒表面有波纹状结构出现，有利于Sc原子在表面的扩散
迁移，故该种Sc膜倾向以混合方式生长。从SEM的内嵌图看出，两种底衬上的膜均为
柱状生长。
底衬温度为650C时，两种类型的Si上的Sc膜结构与同条件下Mo底衬上的截然
不同：均发生了化学反应，生成了ScSi化合物，还有少量的ScSi2。膜均有nm量级的
小颗粒堆积而成。
图3底衬温度对Mo基、Si(111)基Sc膜的物相结构的影响
取向。薄膜的择优生长受到表面能和应变能的共同影响，但是从图3我们发现，在本实
验中表面能是制约Sc膜择优取向的主要因素，晶格失配度造成的应变能的影响较小。
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