AgTCNQ衍生物旋涂膜绿光可擦重写光存储性质研究.pdfVIP

第24卷第9期 光学学报 V01．24，No．9 2004年9月 ACTAOPTICASINICA 文章编号：0253—2239(2004)09—1164—5 AgTCNQ衍生物旋涂膜绿光可擦重写 光存储性质研究* 黄伍桥 吴谊群 顾冬红 干福熹 (中国科学院上海光学精密机械研究所，上海201800) 摘要：报道了新型电子转移复合物AgTCNQ脂类衍生物：银一(2，5一二丙酸甲酯一7，7，8，8一四氰基对苯醌二甲烷) 的旋涂薄膜的光谱特征、薄膜的静态绿光可擦重写光存储性能，并研究了薄膜的可擦重写机理。结果表明该薄膜 在388rim和675 AgTCNQ酯类衍生物旋涂膜具有良好的绿光光存储性能，该薄膜在写入功率为9mW，写入脉冲为80ns，擦除功 率为4mW，擦除脉冲为500rIs时反射率衬比度大于15％，循环次数可达100次以上，并且没有出现任何疲劳现 象。机理研究表明，AgTCNQ酯类衍生物与AgTCNQ有着相同的可逆光致变色机理，即在激光作用下因复合物 中可逆电子转移引起薄膜光学性质的可逆变化，从而实现可擦重写光信息存储。 关键词： 薄膜光学}高密度光存储；可擦重写存储；旋涂膜；AgTCNQ脂类衍生物 TP333．4 中图分类号：0484．4I 文献标识码：A of ThinFilm Green-LightOpticalStoragePropertiesSpin-Coated of Derivative AgTCNQ Wu Gu GanFuxi HuangWuqiaoYiqunDonghong Institute Fine Chinese 201800) (Shanghaiof Mechanics，The of O研洒and AcademySciences，Shanghai (Received19 3December2003) June2003；revised A electrontransfer filmiSdescribedwith Abstract：novel H4COOCH3)z compositeAg—TCNQ(C2 14．5nm)staticrewritable spin-coating，absorptionspectra，green—light(5 opticalrecording rewritable ofthisfilmiSstudied．Theresultsshowthattherearetwo mechanism properties。and at388nmand675 canbe toelectronic strongabsorptionpeaksrespectively nm，whichassigned