用于HIT太阳能电池的本征非晶硅薄膜.pdfVIP

!塑! 丝 丝 塑 塑 !!!!生擅型!塑!鲞 用于HⅡ太阳能电池的本征非晶硅薄膜‘ 宋佩珂，曾祥斌，张锐，赵伯芳 (华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉430074) 摘要：带本征薄层的异质结(ⅢT)太阳能电池要求本 工艺参数。 征非晶硅薄膜具有生长速率低，暗电导大，光学带隙宽 2实验 的特．董。采用等离子增强化学气相沉积(PEcvD)制备符 合}m‘太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜，并通过分析 采用射频电容式六室连续型PEcvD设备沉积本征 薄膜的透射光谱，采用Tauc法计算了薄膜的光学带隙， 非晶硅薄膜，射频频率为13 为约1．87ev。，衬底温度为180℃，放电功率为80w时 (质量浓度)的硅烷气体。衬底选用玻璃基片以方便测 获得的薄膜性能最佳。 关键词： 本征非晶硅薄膜；卸盯；P王狐vD 中图分类号：TN304．055 文献标识码：A 文章编号：100l-973l(2007)增刊一i492—03 一组样品。村底温度为200℃时，放电功率取80w， 100w，150w和180w，得到第二组样品。 1引言 本征非晶硅薄膜的厚度用sLOAN 400型等离子体刻蚀机 非晶硅薄膜由于能用等离子增强化学气相沉积 台阶仪测得，测试用台阶由sPD 倒BCvD)进行制各，所以能实现低温、大面积地沉积，目刻蚀掉样品表面的部分非晶硅膜而形成。非晶硅薄膜的 前已被广泛应用于薄膜太阳能电池中。近年来，带本征薄 层的异质结(壬Ⅱ∞太阳能电池的出现Ⅲ使得本征非晶硅薄 膜再次成为人们关注的热点。因为加入本征薄层的异质结 的基础上，通过计算薄膜的吸收系数，由Tauc作图法 太阳能电池不仅能达到单晶硅电池的高效率，同时也结合 得到了本征非晶硅薄膜的光学带隙。 了非晶硅薄膜太阳能电池低成本的优点闭。其中本征非晶 3结果与分析 硅薄膜的质量将直接影响Ⅲr太阳能电池的性能”】。对用 于}ⅡT太阳能电池的本征非晶硅薄膜进行了研究。 3．1工艺参数对生长速率的影响 一般说来，}玎rr太阳能电池对本征非晶硅薄膜主要 图1示出了第一组样品的膜厚随衬底温度的变化关系。 有以下要求： (1)本征非晶硅薄膜的厚度是影响}玎盯太阳能电 池性能的重要参数“】，因为其厚度仅为几纳米到十几纳 米嘲，所以应适当减小非晶硅薄膜的生长速率，从而精 确控制薄膜的厚度。 (2)非晶硅层的暗电导是电池串联电阻的组成部 分，应优化工艺条件提高非晶硅薄膜的暗电导以得到更 大的短路电流和转换效率。 (3)与传统非晶硅电池不同，Hrr太阳能电池本 甜℃ 征层的主要作用，是作为缓冲层减小异质结界面态密度 图1 归一化膜厚与衬底温度的关系曲线 1 betweenno加alizedttlick|lessand 【“，而单晶硅层才是电池的主要有源区，所以应使尽量 Fig Rel撕onship substrate 多的太阳光透射到单晶硅层，这就要求本征非晶硅薄膜 temperature 具有较宽的光学带隙。 如图所示，非晶硅薄膜的生长速率随衬底温度的升