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用于HIT太阳能电池的本征非晶硅薄膜.pdf
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用于HⅡ太阳能电池的本征非晶硅薄膜‘
宋佩珂,曾祥斌,张锐,赵伯芳
(华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074)
摘要:带本征薄层的异质结(ⅢT)太阳能电池要求本 工艺参数。
征非晶硅薄膜具有生长速率低,暗电导大,光学带隙宽
2实验
的特.董。采用等离子增强化学气相沉积(PEcvD)制备符
合}m‘太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜,并通过分析 采用射频电容式六室连续型PEcvD设备沉积本征
薄膜的透射光谱,采用Tauc法计算了薄膜的光学带隙, 非晶硅薄膜,射频频率为13
为约1.87ev。,衬底温度为180℃,放电功率为80w时
(质量浓度)的硅烷气体。衬底选用玻璃基片以方便测
获得的薄膜性能最佳。
关键词: 本征非晶硅薄膜;卸盯;P王狐vD
中图分类号:TN304.055 文献标识码:A
文章编号:100l-973l(2007)增刊一i492—03
一组样品。村底温度为200℃时,放电功率取80w,
100w,150w和180w,得到第二组样品。
1引言
本征非晶硅薄膜的厚度用sLOAN
400型等离子体刻蚀机
非晶硅薄膜由于能用等离子增强化学气相沉积 台阶仪测得,测试用台阶由sPD
倒BCvD)进行制各,所以能实现低温、大面积地沉积,目刻蚀掉样品表面的部分非晶硅膜而形成。非晶硅薄膜的
前已被广泛应用于薄膜太阳能电池中。近年来,带本征薄
层的异质结(壬Ⅱ∞太阳能电池的出现Ⅲ使得本征非晶硅薄
膜再次成为人们关注的热点。因为加入本征薄层的异质结 的基础上,通过计算薄膜的吸收系数,由Tauc作图法
太阳能电池不仅能达到单晶硅电池的高效率,同时也结合 得到了本征非晶硅薄膜的光学带隙。
了非晶硅薄膜太阳能电池低成本的优点闭。其中本征非晶 3结果与分析
硅薄膜的质量将直接影响Ⅲr太阳能电池的性能”】。对用
于}ⅡT太阳能电池的本征非晶硅薄膜进行了研究。 3.1工艺参数对生长速率的影响
一般说来,}玎rr太阳能电池对本征非晶硅薄膜主要 图1示出了第一组样品的膜厚随衬底温度的变化关系。
有以下要求:
(1)本征非晶硅薄膜的厚度是影响}玎盯太阳能电
池性能的重要参数“】,因为其厚度仅为几纳米到十几纳
米嘲,所以应适当减小非晶硅薄膜的生长速率,从而精
确控制薄膜的厚度。
(2)非晶硅层的暗电导是电池串联电阻的组成部
分,应优化工艺条件提高非晶硅薄膜的暗电导以得到更
大的短路电流和转换效率。
(3)与传统非晶硅电池不同,Hrr太阳能电池本 甜℃
征层的主要作用,是作为缓冲层减小异质结界面态密度 图1 归一化膜厚与衬底温度的关系曲线
1 betweenno加alizedttlick|lessand
【“,而单晶硅层才是电池的主要有源区,所以应使尽量 Fig Rel撕onship
substrate
多的太阳光透射到单晶硅层,这就要求本征非晶硅薄膜 temperature
具有较宽的光学带隙。 如图所示,非晶硅薄膜的生长速率随衬底温度的升
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