第五章pn结.pptVIP

p-n结的空间电荷区电势能的变化导致了能带弯曲. 电子从势能低的n区向势能高的p区运动时，必须克服这一势能“高坡”，才能到达p区；同理，空穴也必须克服这一势能“高坡”，才能从p区到达n区. 这一势能“高坡”称为p-n结的势垒，空间电荷区也叫势垒区。 补充： 准费米能级 当半导体的平衡态遭到破坏而存在非平衡载流子时，可以认为，分别就价带和导带中的电子讲，它们各自基本上处于平衡态，而导带和价带之间处于不平衡状态。 因而费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍然是适用的，可以分别引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的费米能级，称为准费米能级。 导带的准费米能级也称为电子准费米能级，价带的准费米能级称为空穴准费米能级。 理想p-n结模型及其I-V方程式 理想p-n结模型： 小注入：注入少子比平衡多子小得多； 突变耗尽层条件：外加电压都加在势垒区，区内电荷是由电离施主和电离受主组成，区外半导体是电中性，只有纯扩散运动； 不考虑势垒区内载流子的产生及复合，通过耗尽层的Jn、Jp为常数。 玻耳兹曼边界条件：在势垒区两端，载流子分布满足玻耳兹曼分布。 计算流过p-n结的电流密度一般步骤： 根据准费米能级计算势垒区边界 nn 和 pp 处注入的非平衡载流子浓度； 以边界 nn 和 pp 处注入的非平衡载流子浓度为边界条件，求解扩散区中载流子连续性方程，得到扩散区中非平衡少数载流子的分布； 将非平衡少子的浓度分布代入扩散方程算出扩散流密度后，再算出少数载流子的电流密度； 将两种少数载流子的扩散电流密度相加，得到理想p-n结模型的电流电压方程式。 准费米能级 计算 求解扩散区中载流子连续性方程，得到扩散区中非平衡少子的分布 势垒区边界处注入的非平衡少子浓度 边界条件 代入扩散方程 算出少子的电流密度 两种少子相加 得到理想p-n结模型的电流电压方程式 边界处非平衡少子浓度（pp’处） pp(-xp)= pp0 p 区边界pp处少子——电子的浓度 得到注入p区边界pp处的非平衡少数载流子的浓度： 同理可得注入n区边界nn处的非平衡少子空穴的浓度： 解扩散区连续性方程 空穴扩散区中非平衡少子的连续性方程： 可解得： 类似可得： Dp:空穴扩散系数；Lp、Ln:空穴、电子扩散长度. 反向偏压下 正向偏压下 n,p x -xp xn np0 np pn0 pn pn0 pn np np0 n,p -xp xn Ln Lp np(-xp) pn(xn) 求电流密度 在x=xn处，空穴扩散电流密度为： 在x=-xp处，电子扩散电流密度为： 小注入，扩散区不存在电场. 势垒区内的产生-复合作用可忽略： ④通过p-n结的总电流： 分别代入Jp(xn)和Jn(-xp)，得理想p-n结模型的电流电压关系方程式（肖克莱方程式）： 理想p-n结的J-V曲线 J V 正向 反向 通常条件下： 正向(V0) ： 反向(V0)： 结论：p-n结具有单向导电性。 反向饱和电流密度 影响p-n结 I-V特性偏离理想方程的因素 理论与实验值的偏离： 小正向电流，理论值比实验值小； 大正向电流J∝exp(qV/2k0T)； 反向电流，实验值比理论值大得多。 产生偏离的主要原因： 小注入近似在正向偏压较大时误差较大； 未考虑势垒区内的产生及复合； 串联电阻效应。 5.3 p-n结电容 电容就好比电量的容器，可存入或取出电量；具有这种效应的结构都可称为电容。 p - n 结电容包括势垒电容和扩散电容。 ⑴ 势垒电容CT —势垒区电荷数量随外电压变化效应 正向偏压增加或反向偏压减小时，势垒区宽度呈变窄趋势，空间电荷数量呈减小趋势，这是由于n区的电子和p区的空穴进入势垒区，中和了势垒区中一部分电离施主和电离受主。因此，在外加正向偏压增加或反向偏压减小时，相当于有一部分电子和空穴存入势垒区。 p-n结电容的来源 正向偏压减小和反向偏压增大，势垒区宽度变呈变宽趋势，空间电荷变多，相当于电子和空穴从势垒区中取出。 总之，p - n 结上外加电压的变化，引起电子和空穴在势垒区的存入和取出作用，导致势垒区的空间电荷数量随之变化，这和电容器的充放电作用相似，这种p-n结电容效应称为势垒电容(CT)。 ⑵ 扩散电容CD — 扩散区中的电容效应 外加正向偏压时，在扩散区会形成非平衡电子和空穴的积累。正向偏压增加时，非平衡载流子亦相应增加，其中一部分向更深处扩散，一部分增加了扩散区的非平衡载流子的积累，则在扩散区与非平衡载流子(n区空穴和p区电子)保持电中性的电子或空穴也相应增加。 势垒电容和扩散电容均为可变电容，一般以微分电容来表示可变电容：C=dQ/dV 这种由于扩散区的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为 p - n 结的扩散电容(CD)，在正向偏压下较显著。 突变结的势垒电容