锰氧化物薄膜中的氧含量效应和应变效应研究.pdfVIP

苎查旦堕堕壁壁堂量壁丝楚坚垄星墨壁旦苎查銮苎室皇里蔓兰蔓——————一 锰氧化物薄膜中的氧含量效应与应变效应研究 孙继荣1熊昌民1沈保根1杨晓华2黄康权2 (‘中国科学院物理研究所 2香港中文大学物理系) 钙钛矿结构锰氧化物有两个特点，一个是大的磁电阻效应，电阻在磁场明显减小。这一效应可以 用于信息存储、信息交换、自动化控制以及磁场检测等。另一特点是大的电子自旋极化率．这一点用 于隧道结的制各，可以大幅度提高其隧道磁电阻效应。这些特点使锰氧化物成为近年来国际上凝聚态 等。与体材料相比，薄膜与多层膜是人们更感兴趣的研究对象。除薄膜形式更加接近实际应用。通过 制成薄膜，还可以方便的控制例如厚度、应变以及氧含量等，从而实现对材料行为的调制。此外，还 可以利用各种性质材料的复合与叠加，大大丰富研究内容，并获得具有优异性能的材料。影响薄膜行 为的因素很多，一些在体材料中不重要的因素此时不能忽略。其中最重要的是氯含量效应、应变效应 和维度效应。我们在上述几个方面进行了系统的研究，下面介绍一下主要的结果． 1、氧含量效应 氧在锰氧化物中的磁电子输运过程中起着至关重要的作用。但是氯含量的测定一直是困扰人们的 一个问题。薄膜情况下这一问题更加突出，因为体材料的一些成熟测量手段此时多不能用。我们发现， 薄膜情况下氧含量变化可以导致薄膜法线方向晶格常数明显变化，原因是与村底平行的两个方向晶格 基本不变． 利用这个特点可以精确确定氧含量的变化．利用磁控溅射或激光沉积技术在NdGa仉、SrTi03 和LaAl03单晶衬底上生长LCMO和LSMO薄膜。利用真空下热处理的时阃控制薄膜的脱氧量。 利用x一光衍射测量晶格常数，同时测量磁性行为与电阻的变化。重复j寮一过器·：可以耀踪氯古量与 磁电阻行为的变化，从而建立二者之间的定量关系。圈一给出氧禽量改变对x．光衍射谱的影响．图 二所示是电阻一温度关系随氧含量的变化． 2e(Degrees) 竺：二氧苎!减小：致薄膜衍射峰向小角 dN。08GdN底村．加增阻电小减量含氧、二圈 度移动．村底 Ga仉 一。…一…一一……’…～ 25 笙查旦望塑丛壁兰兰壁丝笪塾垄壁墨壁旦苎查奎塑叁堡垒奎壅 一一 图三、氧含量减小导致金属一半导体转变点 图四、低温电阻随氯空位浓度指数增加． 降低．村底SrTi0。． 村底SrTi吼． 上述研究发现(1)脱氧导致金属一半导体转变点迅速降低，当6大于6伪0．1后转变消失。欠 氧导致Mn4+含量减少是上述变化的主要原因。而氧空位散射占整个效应的10--20％。2)应变影 响临界氧含量(6c)。张应变薄膜的6c与无应变或小应变薄膜相比约小0．03。(3)低温电阻随氧空 位浓度指数增加。明显快于Mn4+浓度变化引起的效应，表明氧空位散射低温下占主导作用。相比 之下，高温电阻则主要与Mn4+的变化有关。 2、应变效应 薄膜的磁各向异性和微磁结构是人们关心的问题。对磁隧道结、自旋阀及其他人工结构装置的设 计与加工非常重要。锰氧化物的结构接近立方对称，磁各向异性很小。但是薄膜一衬底晶格失配造成 的应变会导致明显的磁各向异性。我们研究了不同村底、不同薄膜厚度对材料各向异性的影响。衬底 所得样品表现出很好的单相性和外延性。x一光衍射表明薄膜在bAJ0j和SrTiOj上应变较大，并 且分别为压应变和张应变。应变在薄膜厚度变小时明显增加。我们研究了沿薄膜平面和垂直于薄膜平 面的磁化强度随磁场的变化，发现=者之间存在明显的差别，表明存在明显的磁各向异性。LaAIO， 上的薄膜垂真于膜表面易于磁化。相反，在SrTi03上则与膜表面平行的方向易磁化。在MgO上各 向异性较小，与其中的应变小相对应。图五给出了磁化强度随磁场的变化。由于应变与晶格常数之间 呈正比关系，我们利用晶格常数表征薄膜中的应变。磁各向异性随厚度有规律变化，如图六(上)所 nm时，结构无序以及表面效应都不重要，薄膜厚度通过影 示。上述研究说明(1)当厚度大于约50 响应变来影响磁各向异性。(2)薄于50nm时，出现各向异性能非单调变化，主要与薄膜一衬底晶 界面磁钉扎