硅薄膜P型掺杂特性地研究.pdfVIP

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2017-08-16 发布于安徽
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硅薄膜P型掺杂特性地研究.pdf

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—盎巫匦——一硅薄膜P型掺杂特性的研究郭群超1 耿新华2 张建新1 张德坤2 孙建2 任慧志2 吴春亚2 2南开大学光电子所，天津，300071 1河北工业大学，天津，300130，E-mail：guoqunchao@eyou．corn 摘要：本文研究了硅薄膜不同P型掺杂荆对材料特性的影响，实验发现，BzHs作为掺杂荆时，掺硼量对材料的生长速率和微结构有重要影响。随掺硼量增加，材料的生长速率加快、晶化率下降。当采用B(CH。)。作掺杂剂时，掺硼量对材料的生长速率和晶化率的影响相对较小。我们采用PR-650光谱光度计，对等离子体发射光谱(OES)进行在线监测，通过分析0ES谱所反映的反应前驱物信息发现：BzHe的掺入会使辉光光谱中SiH’等各种离子密度增强，而大幅度的提升，文中对实验结果进行了讨论。关键词：硅薄膜掺杂特性等离子体发光谱 0n the ofthedifferent the studiedeffects Abstract：This paper p-typedopinggases properties the ofsilicon the found as B2H6 experiments，wequantityusing dopinggas films．During the all on rateandmicro—structure，withincreaseof roledeposition doping playedimportant rate it’s materials increased，but quantity，thedeposition crystallinitydecreased．Compared is as influenceof on with used B2H6，whenB(CH3)3 doped dopinggas，the quantity the is measured emission rateandmicro—structuresmall．We optical deposition plasma PR一650 the byusin