磁性纳米颗粒膜微波物性的研究.pdfVIP

60 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 磁性纳米颗粒膜微波物性研究 ∗ 何华辉，邓联文，冯则坤，江建军 (华中科技大学 电子科学与技术系, 湖北 武汉 430074) 摘 要：采用磁控溅射工艺和复合靶技术制备 为典型的无序系统，磁性合金-绝缘介质构成的纳米 FeCoB-SiO2 磁性纳米颗粒膜；利用 X 射线衍射仪、 颗粒膜，是由尺度在纳米范围的磁性颗粒分散地嵌于 扫描探针显微镜分析这类薄膜的微结构和形貌特征； 网络状的绝缘介质材料中形成的复合材料，一般磁性 采用振动样品磁强计、四探针法、微波矢量分析仪及 合金与绝缘介质不互溶。纳米颗粒膜中的金属颗粒可 谐振腔法测量薄膜试样的磁电性能和微波复磁导率； 为结晶态或非晶态，而包覆于磁性颗粒周围的绝缘介 重点对 SiO2 介质相含量、薄膜微结构对电磁性能产 质一般为非晶态。磁性金属-绝缘介质颗粒膜也是一 生重要影响的机理做了分析和探讨。结果表明，这类 种典型的人工功能材料，通过控制颗粒大小、金属体 FeCoB-SiO2 磁性纳米颗粒膜具有良好的软磁性能和 积比含量等结构参量，可以实现对纳米颗粒膜电磁性 高频电磁性能，2GHz 时，磁导率μ50 ，可以应用于 能的剪裁调控。 高频微磁器件中。 有关金属-绝缘介质颗粒膜电输运特性研究[2~5] 关键词：纳米颗粒膜；微波物性；复磁导率；微磁器件 表明，由于颗粒膜中金属体积比含量和导电性的差 中图分类号：TM 277 文献标识码：A 异，颗粒膜可分为金属、过渡、绝缘体三个不同的区 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-0060-05 域和状态。过渡区是由金属区向绝缘体区转变的临界 状态区，存在使系统导电性发生突变现象，即逾渗现 1 引 言 象，此时的金属体积比含量为一临界值，即逾渗阈值。 随着电子仪器小型化、高性能化的不断进步，表 过渡区特有的微结构和丰富的电磁特性变化现象为 面贴装技术、集成化技术得到广泛应用。在此背景下， 研究和探讨磁性纳米颗粒膜的微波电磁性能提供了 电子器件的微型化、高频化研究已成为一个十分活跃 很多可能。 的领域。与其它电子元件相比较，磁性器件的微型化 起初对这类颗粒膜的研究主要针对其巨磁电阻 和高频化相对落后。造成这个问题的主要原因是用于 效应[6,7] 。磁性纳米颗粒膜不仅具有良好的磁性能， 微磁器件 （薄膜变压器、薄膜电感器、薄膜电磁干扰 而且可以具有较高的电阻率，因此国内外的研究者们 抑制器、薄膜磁场传感器及高密度磁记录再生磁头 几年前就已开始对这类纳米磁性膜的高频电磁性能 等）的磁性材料在高频时磁导率显著下降。期待开发 研究。已有的研究[8~11]表明，由不同磁性金属和绝缘 出能应用于高频、超高频直至微波频段的高性能软磁 介质组成的不同种类纳米颗粒膜具有明显不同特点 薄膜一直是磁学工作者们的梦想。研究表明，为了维 的电磁性能和高频性能。Fe 基纳米颗粒膜一般有高 持良好的高频磁性能，磁性材料的电阻率 和饱和磁 4 πMs ，但其Hk 一般较小， 却较大，自然共振频 ρ λ s 化强度4 πMs 都要大，并且具有