非晶SrTiO-%2c3-纳米薄膜退火处理方法地研究.pdfVIP

2898 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 非晶SrTiO3 纳米薄膜退火处理方法的研究 黄 文，孙小峰，蒋书文，张 鹰，李言荣 ( 电子科技大学, 微电子与固体电子学院, 四川 成都 610054) 摘 要：用激光脉冲沉积技术(PLD) ，以N 型（100） 均匀等厚（～100nm ）的非晶STO薄膜样品。将样品 Si 为基底在300℃下制备 100nm 非晶 STO 薄膜，分 切分成若干份分别用快速退火（RTA ），常规退火(CFA) 别用常规退火 （CFA ），快速退火 （RTA ）以及激光诱 以及激光诱导晶化（LIC ）使其结晶。其中RTA在日 导晶化 （LIC ）处理将其转化多晶薄膜，用XRD 测定 本ULVAC公司产RTP-6薄膜快速热处理系统中进行， 薄膜相组分和结晶质量，用AFM 观测薄膜表面微结 升温速率50℃/s ，保温时间1min，气氛1.0 1×105PaO 。 2 构。比较不同工艺退火对薄膜结晶品质的影响并阐述 CFA在传统的石英管式炉中进行升温速率20℃/min ， 了各自形核结晶的机理。 保温时间30min ，气氛1.01×105Pa O 。LIC诱导激光源 2 关键词：SrTiO3 薄膜；退火处理；界面形态；晶化 采用德国LAMBDA PHYSIK公司生产的KrF准分子激 中图分类号：TG 146.2 文献标识码：A 光器，脉冲激光波长248nm ，脉冲宽度为30ns ，激光 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-2898-04 能量密度为90mJ/cm2 ，激光脉冲频率6Hz ，光斑尺寸 3mm ×3mm ，在大气环境下晶化。晶化处理后用TP-83 1 引 言 型椭偏仪测膜厚，相结构和结晶品质用Philips 公司 室温下SrTiO 的介电常数ε 超过300ε 是最有潜 X’pert －XRD标定。膜表面形貌用SPM （SPA300HV ， 3 r 0 日本SEIKO仪器公司）的AFM模式观察。100nm非晶 力取代SiO2 作为DRAM 中信息存储的高-k 介电质之 一[1] 。STO 薄膜作为一类重要的功能性薄膜材料，因 STO薄膜的光透过率用U －V754透射率测试仪测试。 其所具有的介电、光电等特性常被用在存储器以及光 3 实验结果与讨论 电器件方面[1,2] ，又因其在微波频段低损耗又被制作 成于可调电容广泛应用于谐振器，滤波器等微波电路 3.1 结构与相组分 和器件当中[3] 。为了将STO 成功与 Si 大规模集成电 图 1 为 STO 薄膜分别经 CFA750 ℃30min ， 路集成，其薄膜的生长动力和晶化机理已成为当今介 RTA750℃1min 以及 LIC90mJ/cm2 900 个激光脉冲 质材料的研究热点。薄膜介电性能与薄膜结晶品质， （180s ）退火处理的