Si-%2c1-x-Ge-%2cx-%2fSi表面合金结构的掠入射X射线衍射(GIXRD)探究.pdfVIP

石瑛，蒋昌忠，范湘军 30072) (武汉大学物理科学与技术学院，湖北武汉4 衬底上用分子束外延方法生长的不同组份、不同退火条件下的50A厚的Si-lGe。合金层进行了表面结 构分析。研究发现：对外延生长后未退火的SiGe合金样品，随着Ge含量的增加表面合金的晶格膨 胀、结构驰豫加剧；对相同Ge含量的合金样品，退火时间t和退火温度T的增加都导致驰豫峰变窄、 合金结构均匀化，表明适宜的退火条件可使SiGe表面合金的内应力得到释放、应变结构均匀稳定。 关键词SiGe表面合金；掠入射X射线衍射《I)【国)；表面结构 1引言 在si衬底上采用与现有大规模集成电路工艺相兼容的方式制作出发光器件，是光电集成领域中 的重要课题。这将使人们实现硅基光电集成、形成--)I新兴的si基光电子学【l】。但是si材料本身 在能带结构上的特性使其在光电器件的应用上受到极大限{Ii8。为解决这一难题，人们作了许多尝试， 构，是其中大有希望并已获得一定成功的研究方向。 得益于能带结构工程。SiGc，Si异质结构在理论上可大大提高si基器件的光学和电学性能，但 质结界面带来失配位错，并影响到材料的能带结构和能带补偿，使si基异质结器件的性能变差，因 此弄清si基SiGe应变外延层的生长和驰豫机制是高 性能si基异质结器件应用的前提和基础。为此我们采用掠入射x射线衍射(GIXRD)技术，对在 单晶Si(001)衬底上用分子束外延方法生长的SiGe合金层进行了表面结构分析。 2实验 制备的合金样品在多种条件下进行退火：温度分别为550。C、7500C，时间为1H30、18H和64H。 对制各的合金样品，在一台配备旋转阳极的三圆x射线衍射仪上进行表面结构的掠入射x射线衍射 出射光阑的空间位置，使x线束以0．5。的微小角度掠样品表面入射。通过精确测定样品的表面面 析表征。 3结果与讨论 质结界面带来失配位错。但是对于在单晶sj衬底上外延生长的sil．xGex合金，对应于一定比例的Ge 含量X，存在一个相干外延的l临界厚度Lc，在此l临界厚度以内，结晶层可通过弹性形变而在平行于 界面的方向上达到一个统一的平衡晶格常数，形成位错密度较低的应变层超晶格[2】。此限定的临界 200A，因此如何排除衬底的影响、对此薄表面合金层的内部结构进行研究有一定难度。掠入射x射 线衍射(GIXRD)分析技术由于只与物质表面相互作用、不需要真空环境等优点而成为表面结构分 析的强有力工具，但表面相互作用带来低强度散射束的探测困难，需要有高亮度的x光源，同步辐 射x光源是进行GIXRD分析的最佳选择，在其不具备时，大功率的旋转阳极x射线衍射仪也可开 展工作[3】。 适当条件下将可通过弹性形变形成应变层超晶格。由于纯Ge比纯Si的体晶格常数大4．2％，此应变 层的晶格将随着Ge的加入而膨胀，因此必须为GIXRD分析定出一个晶格常数(即衍射峰位)基准。 (220)衍射峰的角度和宽度，结合计算机模拟所得衍射谱，可计算出SiGe表面合金的结构参数： 常数；由合金表面的面内(220)衍射峰的宽度算出晶格的相干长度、评估合金的生长质量，等等[4】。 峰，低角度一侧的肩峰来自Sil。Gex应变层超晶格，反映了晶格的驰豫膨胀。当x-q)．3时，几乎没有 肩峰；x=0．4时，出现较弱的肩峰；x-q)．5时，驰豫肩峰明显增强，表明对于外延生长后未退火的SiGe 合金样品，随着Ge含量X的增加，表面合金层的晶格膨胀、应变驰豫加剧。 对于相同Ge含量的sil．xGex合金样品，不同的退火条件使合金层的应变驰豫情况也有所不同。 7Geo 图二为同样退火温度(I=-550。c)、退火时间不同时Sio 的退火带来合金层的强宽肩峰(a哼b)，随着 退火 2lm8la rdog．) 图一．未退火的Si-…Ge／Si表面合金 图二．退火温度T=550。C时Sio7Geo3／Si表面 GIXRD图。 金的GIXRD图。 时导致驰豫肩峰半高宽明显变窄(见图三)。