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——一——
竺!查竺!竺!!!竺!兰!竺
BST铁电薄膜的微观结构研究
冷文建+，杨传仁‘2，罗世希，符春林，陈宏伟，廖隶轩
(电子科技大学，徽电子与固体电子学院，成都，610054)
r微波晶化法对BST
t薄膜进行退火。和气氛炉退火相比较，微渡晶化法退火之后的BST．。薄膜，晶粒尺寸小而分布均
匀，薄膜表面平均粗糙度(RMS)较小。利用X射线衍射对薄膜晶体结构进行分析，我们发现采用微波晶化法进行后
。C条件下，两者退火方式的薄膜结晶度几乎相同。
关健词： B8哆燕膜，微波晶化法，X射线衍射《l萝，原子力显微镜(§翠D平均粗糙度(RMs)
／轨卜 o o “
onthemicrostructureofBSTthin
Study film
Lengwenjian，Yangchuenten．Luosiftxi，Fu
Schoolofmicroelectronicsandstatesolid ofElectronic
scienceand of
e|ec口ordcs，University TechnologyChina,
ChengDu610054
this thin
Abstract：In filmsof were theRF method
paper,thepolyerystallineBaxSrt．jn03(BST_Oby OU
prepared sputtering
the filmswcrcannealed microwavethermal
P《111)／Ti／SiOz／Si(100)substrate镕．TheBST_，thin by treatment．
using
Theinfluenceson RMS
and atomicforce
crystalsize,dimensionaluaiformitywe∞inves岵atedby microscopy
indica比d are
(AFM)Thediffraction(XRD)0·2”SCanSth砒嘶crowave to
X-ray required
annealing
the be
achieve(110)orienlation．and degenerate州tll ame．The
peak(11)willgradually lengtheningannealing
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