Al-%2cx-Ga-%2c1-x-N%2fGaN异质结构中二维电子气有效质量地研究.pdfVIP

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2017-08-16 发布于安徽
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20¨a,-8月蚺，F十罩^士■化曹-■r斗—¨I捌-韩，埘随—l件和光电●l件学术噜咄，}第九属壹蟹■舅雌—‘学木嘈r{叉 Al。Ga-一。N／GaN异质结构中二维电子气有效质量的研究唐宁1，沈波”，桂永胜2，仇志军2，吕捷1，夏艳1，陈敦军i，赵红1，张荣1，郑有蚪1，郭少令2，褚君浩2 (3南京大学物理系光电信息功能材料江苏省重点实验室，江苏南京210093) (4．中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海200083) 摘妥：在低温和强磁场下对调制掺杂A1叭拈a叭，N／GaN异质结进行了磁输运测量。通过对不同温度下舒勃尼科夫一德哈斯(SdH)振荡的分析，计算出二维电子气(2DEG)的有效质量。发现其有效质量的大小随磁场的增加而增大。有效质量的增大与导带的非抛物性有关。关键词：A1，Ga—N／GaN异质结构；二维电子气：有效质量 PACC：7200 (60136 02 3) 资助课题。 on m瓣of effectivetwo-dimensionalelectronin Study gas heterostructures AixGal．xN／GaN Jiel，Xia B01，Gui Zhijun2，LuYahl，Chen Nin91，Shen Tang Yongshen92，Qiu Youdoul，Guo dunjunl，Zhao Ron91，Zheng Shaolin92，Chu Hon91，Zhang Junha02 Provincial ofPhotonicandElectronicMaterialsScienceand of Labomlory Technology,Department (3．JiangsuKey 210093，China) University,Nanjing Physics，Nanjing Shanghai200083．China) heterostructora and performedonesN／GaN atlowtemperatureshigh Abstract：MagnetotransportstudyhasbeenanAkl扣a0 valuesoftwo-dimensiohalelectron obtained the fieldsEffective—mass by magnetic gas(2DEG)areanalyzing