MWECR-CVD系统新型磁场结构地研究.pdfVIP

MWECR-CVD系统新型磁场结构的研究 阴生毅‘张永清1陈光华2 (1中科院电子所，北京1000802北京工业大学材料科学与工程学院，北京100022) 摘要本文介绍了一种用于微波电子回旋共振CVD(M嘲ECR-CVD)系统的新型磁场结构。这 一结构由单个磁场线圈和一个永磁体单元组成。与未采用永磁体单元时相比，采用这一结 构在可使样品台处的轴向磁感应强度升高80％以上，并使永磁体单元侧面的轴向磁感应强 度反向。实验表明，这种特殊的磁场分布可使等离子体几乎全部聚集于永磁体单元和样品 台的上方，大幅度提高了对等离子体的利用率。 关键词微波电子回旋共振化学气相沉积磁场永磁体 1引言 在微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR-CVD)系统中，磁场的类型、组合及排列直 接影响微波电子回旋共振区的位置、数量，并影响等离子体的输运“‘5’，因而是磁场是该类 系统不可或缺的重要组成部分。一般情况下，MWECR-CVD系统均采用两个以上的磁场线圈， 以便对磁场位形进行有效调节。然而我们实验室现有的MWECR—CVD系统只采用了一个磁场 线圈，虽然采用单磁场线圈可使系统结构紧凑，节约电能，但是却无法进行磁场组合，难 以对等离子体的输运过程进行有效调整． 在不增加磁场线圈数量的前提下，本文尝试以晟低的成本对现有磁场结构进行改进， 以实现对磁场位形和对等离子体的控制。为此本文提出了磁场线圈与沉积室永磁体单元组 合的新型磁场结构，并对这一磁场结构及其对等离子体的影响进行了实验和分析。 2永磁体单元与单磁场线圈组合实验 2．1永磁体吸引(排斥)等离子体现象的发现 一个偶然的机会，我们发现了一个非常重要的现象：在磁场线圈下方，将一块永磁体 在的位置，改变永磁体极性，部分等离子体被推向离开永磁体的方向。 为了充分利用永磁体可吸引或排斥等离子体的现象，我们想到，可将永磁体放入 MwEcR—CVD装置沉积室内部，以吸引等离子体强行向样品台聚集。 ·国家重点基础研究发展规牟J资助项目(G000028201) 2．2永磁体单元 经过反复设计和实验，获得了专门的永磁体单元。该单元由顶部纯铁板、永磁体、碳 钢屏蔽套等组成。顶部纯铁板可使样品台上方的轴向磁场均匀化；屏蔽套用于避免在永磁 10 体单元周围产生875X1的共振磁场并屏蔽微波：永磁体选用耐热温度达300C的钐钴 (SmCo)永磁体。由于永磁体单元的体积较小，可在沉积室有较大的移动空间，因而采用 永磁体单元可在较为紧凑的空间里实现对整个轴向磁场位形的调节。 图1给出了采用永磁体单元的MWECR-CVD系统的示意图。 2．3组合磁场测量 采用采用特斯拉计对系统轴向磁场进行了测量。图2为线圈及线圈与永磁体单元组合 的轴向磁场分布，图3为样品台表面轴向磁场分布，图4给出了永磁体侧表面外部的轴向 磁场分布。 Microwavc Ceramic 图1微波电子回旋共振CVl)装置示意图 由图2可见，永磁体单元加入沉积皇后，沉积室内的轴向磁场分布发生了显著变化： 轴向磁场由单个电磁线圈时的纯发散分布，改变为先发散然后再在永磁体单元和样品台上 方逐步收敛的分布。未加永磁体单元时，在样品台表面磁感应强度为150×10～T，加入永 磁体单元后，样品台表面磁感应强度达到280×10～T，比原先增加86％。 由图3可以看出，采用永磁体单元后，在080mm直径范围内，样品台表面组台轴向磁 场的分布是较为均匀的。这为在样品台上方获得均匀分布的等离子体创造了有利由图4可 33l ‘ chamberPbsma Oepo=mon chamb矿 875x10’ ；／ 一e7 一葛：{∥ 图2线圈及线圈与永磁体单元组合的轴向磁场分布比较 卜 2 图3样品台表面的轴向磁场分布 图