非晶硅太阳电池TCO%2fMetal复合背反射电极的研究.pdfVIP

非晶硅太阳电池TCO/Metal 复合背反射电极研究 非晶硅太阳电池TCO/Metal 复合背反射电极研究∗ 2 1 1 2 2 1 1 1 胡志华 廖显伯 刁宏伟 夏朝凤 陈庭金 曾湘波 郝会颖 孔光临 1 中国科学院半导体研究所 北京 100083 2 云南师范大学能源与环境科学学院，教育部可再生能源新材料重点实验室 昆明 650092 huzhihua@public.km.yn.cn huzhihua@ynnu.edu.cn 摘 要：本文采用射频磁控溅射制备ITO 和ZnO:Al 透明导电膜，并成功地将ITO/Ag 和ZnO/Al/SS 复合背反射电极应用 于pin 和nip 结构的非晶硅薄膜太阳电池，短路电流得以显著提高，个别电池的短路电流增幅高达30％。分析认为， 背电极的Lambertian 织构是复合背反射电极陷光效果的关键。而背窗口层的作用主要是阻挡金属Ag 或Al 与非晶硅n 层间的互扩散。 1.引言 对非晶硅太阳电池来说，目前的关键问题是进一步提高光电转换效率和改善稳定性。国际上普遍 采用了氢稀释工艺以改善本征材料微结构和多结叠层器件结构以达到减薄I 层、增强内建电场，从而 达到抑制光致衰退的目的[1] 。提高电池性能的另一种技术途径是采用陷光结构，包括通过采用绒面透 明导电膜和TCO/Metal 复合背反射电极以增大光在本征吸收层的光程[2] 。其中TCO/Metal 复合背反射 电极不但可以增强长波段光的反射，从而增大短路电流，提高电池的转换效率，而且可以进一步减薄 I 层，改善电池的稳定性。此外，TCO 还能有效阻止金属背电极元素如Ag 或Al 向n+层的扩散，改善 界面及电池性能。目前国内关于复合背反射电极的研究很少，本文就ITO 和ZnO:Al 透明导电薄膜的 制备工艺条件以及ITO/Ag 和ZnO/Al/SS 复合背反射电极对pin 和nip 两种结构的非晶硅太阳电池短路 电流的影响等进行了研究。实验证实TCO/metal 复合背反射电极对提高非晶硅太阳电池短路电流的效 果十分显著，当电池本征层较薄时，短路电流增幅可高达30 ％。 2.实验 本文采用射频磁控溅射制备金属（Al,Ag ）膜和 ITO 、ZnO:Al 透明导电膜。溅射系统本底真空 -4 5x10 Pa ，靶到衬底的间距为7～8cm，溅射气体为高纯Ar ，工作气压1.0Pa 左右。金属膜采用纯金属 2 靶在200～350 °C 的衬底温度以及200～500W 的射频功率下溅射,生长速率～18nm/min。ITO 和ZnO:Al 透明导电膜分别采用In O (wt90 ％):SnO (wt10 ％)和ZnO （wt 98 ％）: Al O (wt2 ％)陶瓷靶材。对于pin 2 3 2 2 3 结构的太阳电池，首先是在 SnO2 导电玻璃上按照p-I-n 的顺序制备非晶硅太阳电池，具体的PECVD 的电池工艺条件另文发表[3] 。然后将制备好的太阳电池用磁控溅射的方法在同等条件下溅射金属 Ag 背电极和ITO/Ag 复合背反射电极。溅射时特别关注衬底温度和射频功率，以免造成对pin 太阳电池n ＋ [4] 层的损伤。nip 太阳电池 的制作顺序与pin 完全不同，第一步是在不锈钢箔（厚度为0.05mm ）上溅 射金属Al 或Ag ，第二步是在Al 或Ag 上溅射ZnO:Al 透明导电膜。溅射ZnO:Al 时的衬底温度50～ 100°C ，功率400W 。之后同时将不锈钢箔裸片和带有ZnO/Al （Ag ）复合背反射层的不锈钢箔同时载 入PECVD 系统制备nip 太阳电池。最后又回到磁控溅射设备溅射ITO 透明导电薄膜并进行同等条件 下的太阳电池光电测试。光电测试光源为普通卤钨灯。 ∗本研究工作得到了国家重大基础研究计划（973 ）项目（合同号：G2000028201 ）资助。