电子束缩小投影光刻掩模的研究.pdfVIP

兰坐±』坚一一 苎±生全璺皇±查：查三查：垄三查芏查±全 !型：苎竺 电子束缩小投影光刻掩模研究 杨清华1，叶甜春1，李兵1，刘明1，陈宝钦1，赵伶俐1 陈大鹏1，胥兴才1，吴桂君2，彭开武2，张福安2 (1中国科学院微电子中心，北京100010；2中国科学院电工研究所，北京100080) with AngularLimitation 摘要：本文作者对电子柬散射角限制投影光刻(SCALPEL--Scattering Electron Projection 模制作工艺，摸索出一套比较稳定的工艺条件，并且对掩模的透过率和反差以及绝缘薄膜的 ‘ 电荷累积问题(SiNx薄膜的放电现象)进行了探索和实验研究。 关键词：电子束散射角限制投影光刻；电子束；掩模；分辨率；透过率；反差 1引言 电子束光刻是上世纪60年代从扫描电子显微镜技术基础上发展起来的一种高分辨率光刻技术， 该技术刻写的线宽可以延伸到50hm以下。由于电子束的产生、聚焦、偏转等技术成熟，控制简单方 技术一经问世便引起业内人士的高度重视并得到大家的青睐．当今的高分辨率掩模几乎都是用电子束 曝光制成的。但电子束直写技术的缺点是明显的：曝光速度过慢．生产率过低．难以用它进行生产。 在传统的电子束直写技术中，电子穿过掩模时与壁发生的散射是影响分辨率的重要因素，需要加以克 服与避免，但是又很困难。1989年，贝尔实验室的工程师Steven Gibson一反常规， Berger和Marray 利用散射来成像。结果．不仅摆脱了散射问题的纠缠，而且掩模只散射电子而不吸收能量使热效应大 用透过掩模的明场像曝光，使其生产率远远超过了电子束直写技术；而且分辨率可达35rim，焦深至 少30I．tm以上，成像质量好；掩模成本相对较低；技术比较成熟。这些使它获得了工业界广泛的支持。 中国科学院微电子中心(MEccAs)与电工研究所近年来联合开展了电子柬缩小投影光刻技术的研究， 本文将报道MECCAS在掩模制作方面的研究进展。 2 电子束投影光刻及掩模的基本原理 SCALPEL技术的基本原理是(见图1)： 平行的高能电子束入射到掩模上，形成均匀的 照明。掩摸由轻元素SiNx支撑薄膜(厚度lOOnm) 和上面的散射金属薄膜(WtCr)图形构成。穿过 SiNx膜的电子基本不散射，而穿过WtCr金属 薄膜时．电子柬将产生严重散射。经过散射掩 模后，散射角度较大的电子被物镜光阑吸收， 而散射角度小的电子经投影镜将图形聚焦到芯 片光刻胶上形成缩小的图形。这样的成像方式 可以实现缩小投影曝光。国外把这个过程设计 成四倍缩小；而中国科学院电工研究所研制的 图1 投影竺誊氅琶要：孽堡篓芝尝蠹乏篓犁∑。。 …………“～叫scAu砸L光刻原理图 掩模制作在整个集成电路制造生产过程中 占有相当重要的地位，是一个相对独立的工艺过程。掩模分辨率将直接影响到曝光图形的分辨率和线 第：11届全国三束会议(四川-成都) 宽，而掩模的质量!fllJ影响滞后相关工序的操作和产品成品率。对SCALPEL掩模有几个基本要求：1、 x,t【=E度超过95％，能量吸收小于1％。2、具有高的机械强度。3、低的薄膜压力，使之具有高的CD 控制。4、薄膜制造不能过于繁复，制造周期不能过长，便于检测和修复，使之具有经济可行性。当 然，图像模糊、邻近效应、硅片热效应等问题依然咀某种程度存在，是要加以克服的。另外，电场和 磁场都可咀影响电子的行为，这是一切优点的来源和缺点的归宿，也是SCALPEL研究工作的出发点。 3实验结果和讨论 3．1掩模制作 微电子中心经多