火焰水解法快速沉积硅基二氧化硅厚膜材料地研究.pdfVIP

第五届全国光子学大会会议论文集 第七分册：其它 火焰水解法快速沉积硅基二氧化硅厚膜材料的研究 1 郜定山，李建光，安俊明，李健，夏君磊，王红杰，胡雄伟 中国科学院半导体研究所，光电子研究发展中心，北京 100083 摘要：用火焰水解法（FHD）在4 英寸硅片上制备了SiO 和B O -SiO 厚膜。分别用X 射线物相衍 2 2 3 2 射法（XRD）和用扫描电子显微镜（SEM）分析了FHD 法沉积的SiO 和B O -SiO 粉末在烧结过程 2 2 3 2 中的析晶和龟裂现象。结果发现，FHD 法沉积的纯SiO2 粉末在烧结时很容易析出α-方石英晶粒，此 晶粒与玻璃态 SiO2 薄膜基体之间的热膨胀系数严重失配，导致 SiO2 薄膜龟裂。在体系中掺入适量 B O 能显著抑制这一析晶过程，制备出完全非晶态的、平整光滑没有龟裂的SiO 波导材料。用棱镜 2 3 2 -4 耦合法测得FHD 法制备的4 英寸硅基二氧化硅光波导材料的折射率波动小于±1.5×10 ，厚度波动小 于±0.35µm，完全能够用于制备阵列波导光栅等光波导器件。 关键词：火焰水解；硅基二氧化硅；光波导；析晶；龟裂 1. 引言 硅基二氧化硅（SiO /Si）光波导器件具有与光纤模场匹配良好、便于光电子集成等突出优点， 2 [1-4] 是构建波分复用光网络和实现光电子混合集成的重要基础 。SiO /Si 光波导器件要求波导包层厚度 2 超过 10µm，以防止光波导芯层中传输的光信号泄漏至高折射率的硅衬底，导致器件传输损耗剧增。 传统的PECVD 法沉积SiO2 速率慢，只能达到 100nm/min，而且每沉积3µm 就需要进行一次退火以 消除残余应力。溶胶－凝胶法沉积SiO2 厚膜时的龟裂问题一直没能很好解决，阻碍了这种方法的应 用。 火焰水解法（Flame Hydrolysis Deposition,FHD）是近年来发展起来的一种专门用于制备SiO2/Si 光波导材料的先进工艺方法。这种方法可以在硅衬底上快速沉积出无定形SiO2 纳米粉末，然后经过 高温烧结玻璃化，形成致密性好、损耗低的SiO [5-7] 2/Si 光波导材料 。 但是，火焰水解法沉积的SiO2 粉末在烧结过程中容易产生析晶、龟裂等缺陷的研究。目前，目 前对于 FHD 法制备的 SiO2 材料析晶的研究较多一些。日本NTT 电子通讯实验室的 Takao Edahiro [8] 等人发现 ，在FHD 法中，当衬底温度低于400 ℃时，所沉积的GeO 和B O 粉末基本是晶态的， 2 2 3 只有当衬底温度高于400 ℃时才能形成非晶态GeO 和B O 。并且衬底温度越高，粉末中非晶态GeO 2 2 3 2