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2017-08-16 发布于安徽
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ZnO同质p-n结地研究.pdf

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第25卷增刊真空科学与技术学报 SCIENCEAND 2005年12月 JOURNALOFVACUUM 11蔸HN010Gy(a矾) 101 ZnO同质p-n结的研究刘洪图1 杨晓杰1许小亮1，2’谢家纯1徐传明1，3徐军1 ，1．中国科技大学物理系合肥230026；2中国科学院中国科技大学结构分析重点实验室合肥、3 中国科技大学精密机械与精密仪器系合肥230027 ResearchofZnO Junction HomojeneousP-n andLiu Jmchunl，Xu Junl Hon殍u1 YangXiaojml，Xu)【l枷粕矿加，XieChu衄mmd一，Xu Yedmo／ogy Research f，1．风Pa，咖enlofPhystcs，Unacmtyoften傀andofChina，玩白23(IP_6，Chtaa；2．Structure、 and ofroweTechnology ofChina，Clunese勘砌唧ofSctences，地向230026，Chma； l肠蛔锄町，Umversuy l often傀andofChina，魄向230027，‰／ t,3．压弘删of尸h黼脑秭m吖and，，咖朋册枷姗，UnaersttyT∞hao／ogy AbstractZnO beam鹋mted 0fmetalhcAI．Wefound homogetiot3t坞p-njuncllOllflwere￡abncated坶iondepombon(mAD)anddoping thatthe mbointhe地．scUve mixtureandthetf lI啪8etheformauon ofthemtnnslc oxygen gaseous powersigmficantly enthalpy donors(oxy- reducethefonmuonofrata-mine ZnO lmemtltmls，v1)80鹪to gency，vo)，and enthalpy acceptors(ZnVSeSIILy，V五，andoxygen growp-type ZnOfilmⅧtlllow wem metalhcA1． film．N-type grownbydoping realaawty Zn0 Keywords film，homojeneousp-njunction，p-type 摘要调节反应气体中Q的比例和RF电源的功率可以增加本征施主vo的形成焓，降低本征受主V踟和0I的形成焓，制备出P型ZnO薄膜；采用掺杂金属m制备出低电阻n型ZnO薄膜，在此基础上得到性能可观的ZnO同质p-n结。关键词ZnO薄膜同质p-n结P型中图分类号：TN3042+1，0475，0432．1+2文献标识码：A 文章编号：1672-7126