铜基底CVD微晶金刚石场致发射特性与接触性质研究.pdfVIP

铜基底CVD撤晶金刚石场致发射特性及接触性质研究‘ 谢扩军，曾葆青，扬中海 (电子科技大学高能电子研究所，四川成都610054) 摘要：用檄波等离子化学气相沉积法(M]K?VD) 十分理想，膜与电扳的结合强度也不十分满意a 在无氟恫基底上沉积擞晶奎刖石制作场发射冷阴极 无氧钶是一种优良的电真空材料．同时因为铜 阵列(FEA)，研究埽豉发射特性和金刚石与铜基底具有立方结构且其与金刚石的晶格失配仅1．3％。因 之间的政姆接触特性．研究蛄果表明：在3．45tvfVfm 电场彳叠度下可获得10呲一的发射电流密度，所 而铜也是金圈石异质外延生长的一种较好的基底材 料，但铜的热膨胀系数比金刚石的大15倍．化学气 发射曲电子轰击荧光屏能产生明亮的荧光．通过微 相沉积金刚石薄膜后的冷却过程中金剐石薄膜易从 晶金刚石在伺基鹿上的嵌布从而实现了金刚石与铜 铜基底上剥离和破裂，不利于生长较厚的金圉石薄 基赢之问的低欧簿接触． 膜·但我们在制作场发射体时，不要求较厚的金喇 关键词：场发射；金刚石薄膜；负电特性；铜基鹿； 石薄膜．也不要求生成非常致密的金剐石薄膜．若 欧姆接触 能在铜基底上均匀嵌布撒晶金刚石颗粒．则可利用 金刚石的负电亲和势效应和微晶金刚石颗粒的尖端 1引言 效应制成优良的场发射体；徽晶金剐石颗粒嵌布生 长在铜基片上．铜基片直接作电极，从而实现了低 近年来．真空微电子学的发展令人瞩目．因为 电阻宰欧姆接触．且膜与屯援的结台强度也非常牢 真空徽电子学在平板显示和撇波器件中有广阔的应 固·采用直接在金属(如铜和钼】基片上沉积多晶金啊 用前景I【I·而场发射拎阴极阵列fFEA)的制备和性能 石或掺杂半导体金嘲石的方怯，将沉膜和捌怍电搬 控制是真空微电子器件研究的关键之一- 两道工序合二为一·既碱少工序·又降低成本H。制 场发射阴极是由金属或半导体制成的根尖锐的 作的场发射体经自行研制的FEA高真空潮试台测 针尖，针尖由集成门电投环绕．通过一个舟电膜使 试．观察到了较高的场发射电流和发射电子轰击荧 之与电子发射材料电绝缘a采用si尖锥的FEA的优 光屏所产生的明亮荧光t 点是不需要双向沉积工艺．完全采用si器件制造工 艺t获得很好的性能，但sj导热性差，si尖锥的表 2实验 面稳定性差，影响了FEA的性能．^们一直寻找更 稳定的材料代替它。 2．1场发射体的制鲁 80年代以来．由于化学气相沉积金刚石薄膜的 选用表面抛光的无氧铜作基底．经甲醇(加金 突破性进展，使得低成本高质量的金日Ⅱ石薄膜制备 刚石微捞)超声清洗、击嵩子水漂洗、乙醇清洗脱 成为可能，根据金刚石薄膜特有的性质，人们开始将金 水后，将准备好的样品放入I．5kW／2450MHz微波等 刚石薄膜应用于场发射阴极∞J，1993年Mw-Gei3等离子化学气相沉积装置“(囤1)的反应腔中，当反 人通过实验发现N型金刚石在授低的电场强度下(小 应譬内真空度达到10-‘pa时，将c吼(‘5％)+H，q 于1wpm)就能获得电子发射，比之一般进出功为或CH．+H2+Ar的混合气体通入反应室t其中甲烷占 4．5eV的金属要获得场发射表面场强至少要求达到0．5～5％一其流量为100SCCM。跬持反应管工作压