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位错形态与GaN电阻率之关系的研究
甄慧慧1,2 鲁麟1,2许并社1,2*
太原理工大学1.新材料界面科学与工程教育部重点实验室
2.新材料工程技术研究中心，山西太原030024
高阻GaN是研制GaN基HEMT器件的基础。
本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法，在
(0001)面的蓝宝石衬底上成功生长出了高阻GaN。
生长过程中成核层退火阶段的反应室压力的改变，
可得到不 同阻值的GaN。利用原子力显微镜
(AFM)、X射线衍射 (XRD)和透射电子显微镜
(TEM)对不同阻值的GaN薄膜的表面形貌、位错密
度和位错形貌进行了研究。随着退火压力的降低，
GaN的阻值从8.5×104Ω/sq增加到1.0×1011Ω/
sq。AFM确认了用本实验方法可获得高质量的高
阻GaN外延薄膜。
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