室温铁磁性GaN%3aCr薄膜的性质的研究.pdfVIP

1212 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 室温铁磁性GaN:Cr 薄膜的性质研究* ∗ 1 1,2 1 1 1 刘志凯 ，宋书林，陈诺夫 ，尹志岗 ，柴春林 ，杨少延 (1. 中国科学院半导体所 半导体材料科学重点实验室, 北京 100083; 2. 中国科学院力学研究所 国家微重力实验室, 北京 100080) 摘 要：采用高能离子注入的方式，在 GaN 衬底中 Mn 掺杂GaN 样品的研究出现了两种互不相同的 掺杂引入Cr 离子制备了磁性半导体。借助于X 射线 结果，Zajac 等人发现GaMnN 材料中Mn 离子间通过 衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析，没有 超交换作用出现反铁磁性，其奈尔温度为2.4K[4] 。而 发现新的衍射峰，并运用高分辨率 X 射线衍射仪 其他的研究者报导的GaMnN 样品的铁磁性转变温度 (HR-XRD)分析了 Mn 离子注入后衬底(0002)峰的微 也相差很大，从 10K 到最高达940K[5] ，并且在n 型 小变化。根据原子力显微镜的结果，发现注入后的样 GaMnN 材料也出现了铁磁性。而Ando 对室温铁磁性 品表面起伏比较大，发生明显的变化。通过使用超导 的GaMnN 磁圆二色性分析结果说明GaMnN 材料本 量子干涉仪 SQUID 进行变温分析，在所分析的10～ 身是顺磁性的，并推断铁磁性的出现源自于某种 X 300K 范围内，磁化强度变化幅度较小，样品在室温 射线衍射分析无法区分的组分[6] 。 条件下仍然保持铁磁性。 关键词：氮化镓；磁性半导体；铁磁性转变温度 2 实 验 中图分类号：TN304.7 TN304.054 献标识码：A 本研究采用 Si(111)上生长的 AlN 作为缓冲层得 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 到 1.2µm 厚 GaN(000 1)单晶作衬底，注入的能量为 1 引 言 250keV ，Cr 离子的计量为4×1016 cm-2 采取扫描模式。 并根据 GaN 晶体结构的特点，注入过程中样品倾斜 信息行业主要是利用半导体中电子的电荷自由 大约7 °来减少沟道效应。制备GaAs:Mn 薄膜的厚度 度处理、传输信息以及磁性材料中电子的自旋自由度 根据TRIM 程序模拟计算的结果约为 160nm ，并对薄 来存储信息，如何将这两种性质结合起来探索新的功 膜的性质进行了一系列的分析。 能材料将是下一步发展的目标。稀磁半导体满足了这 一要求，因而受到了越来越广泛的重视[1] 。 3 实验结果与分析 六方GaN 带宽3.39eV ，从工业应用的角度，GaN 运用X 射线衍射仪(XRD)和高分辨X 射线衍射仪 材料可以用在不同的电子器件和光学器件中。GaN 是 (HR-XRD)分析了样品的结构特征，借助于原子力显 一种宽禁带半导体材料，根据理论计算的结果，GaN 微镜(AFM)分析了样品表面的形貌特点。根据超