用椭偏光谱法的研究掺铬的半绝缘砷化镓的光学性质.pdfVIP

用椭偏光谱法研究掺铬的半绝缘砷化镓的光学性质 张瑞锋“ 连洁’ 王青圃1 程兴奎’ 张晓阳’ 济南 2501 济南 (1．山东大学信息科学与工程学院 00；2．山东大学物理与微电子学院 250100，3．山东大学晶体材料所济南 250100) 摘要：用椭偏光谱法对掺铬的半绝缘砷化镓在可见光波段的光学性质进行了研究，得到了其 折射率、消光系数、介电常数以及吸收系数与入射光子能量的关系曲线，并与本征砷化镓材料的相 应性质进行了对比．结果表明：掺杂后砷化镓材料的光学性质与本征的砷化镓相比，其变化趋势未 发生明显的改变，但折射率扣介电常数的实部均小于本征时的值，其中在入射光子能量为2．9—3eY 时，下降幅度最大，分别为0．97和8．7．分析表明，折射率的差别主要反映了掺杂元素铬的影响． 关键词：掺铬的半绝缘砷化镓；椭偏光谱：光学性质 1．引言 半绝缘GaAs是一种常见的半导体衬底材料。同时还可以作为z射线探测器和辐射探测器材料。 以半绝缘GaAs为衬底生长的超晶格结构和多量子阱结构．在实际中可以用做探测器或霍耳器件， 也可以作成量子阱激光器和高电子迁移率晶体管等。半绝缘GaA．s作为衬底材料，其性质必定对器 件的性质有比较大的影响，因此有必要对它的各方面的性质进行研究，而常见的该材料的研究包括 电学性质、材料生长和结构，以及其所具有的一些特殊的性质如光折变性质。较少有人对其光学性 质进行研究的． 本文用椭偏光谱法对掺铬的半绝缘CJaAS的光学性质进行了分析。椭偏光谱法是一种广泛应用 的测量半导体材料光学参数如折射率，消光系数，禁带宽度，介电常数等的方法，并且是一种无损 的方法。我们用椭偏光谱法对掺铬的半绝缘砷化镓在380～700iral范围内的光学性质进行了研究， 同时对本征的砷化镓的相应性质也进行了测量，并将两个测量结果进行了对比，分析了砷化镓在掺 铬前后光学性质的变化，并做了进一步的理论分析。 2．理论 当一束偏振态任意的光倾斜入射到两种不同介质的接触面时，由于P分量(入射波电矢量振动平 行于入射面的分量)和s分量(入射波电矢量垂直于入射面的分量)的菲涅耳反射系数不同。在反射 时这两个分量闻的相对振幅和相位关系发生了变化，导致反射波的偏振将不同于入射波的偏振。P 偏振和J偏振的菲涅耳反射系数比值P为 p：兰 (1) ‘ 通常将P写为 p2tanv,冒“ (2) 由(1)，(2)式可以看出： 。 M 纽炉褂 (3) ’ △=6坩一d厅 (4) 由实验测得的椭偏参量y和△，通过公式 l。：：七：+。iIl：口+查l丝!熊：丝=堑竺塑垒2 J(1+sin2VcosA)。 l七：—sin2赍928s—in4VsinA (5) 可以计算出材料的折射率n(A)和消光系数七(A)。由于介电常数占的实部毛和虚部F2以及吸收系数 a(a)与Ⅳ(A)和七(A)有如下关系： 毛。n2-k2